Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых промежуточный слой SrTiO₃ толщиной в 700 nm интегрирован с двумя электродами SrRuO₃. В верхнем электроде с использованием фотолитографии и ионного травления были сформированы два десятка контактных площадок (S~ 0.1 mm²). Нижний электрод SrRuO₃, выращенный на подложке (001)MgO, являлся общим для всех пленочных конденсаторов на чипе. С понижением температуры в интервале 300-50 K емкость C конденсаторов возрастала более чем в два раза вследствие увеличения диэлектрической проницаемости varepsilon промежуточного слоя. При T=4.2 K уменьшение C при подаче на оксидные электроды напряжения смещения ±2.5 V составляло порядка 40%. В интервале температуры 100-300 K отношение varepsilon₀/varepsilon практически линейно возрастало с температурой (varepsilon₀ - диэлектрическая проницаемость вакуума). При T>250 K тангенс угла диэлектрических потерь промежуточного слоя SrTiO₃ экспоненциально возрастал с температурой и существенно зависел от напряжения смещения, поданного на оксидные электроды.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.