Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние электрического поля на размытый фазовый переход в кристаллах PbIn1/2Nb1/2O3-28PbTiO3 и PbIn1/2Nb1/2O3-37PbTiO3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: kamzin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Исследовано влияние постоянного электрического поля (0<E≤3 kV/cm) на размытие фазового перехода и экспоненту Кюри-Вейсса (gamma) в двух кристаллах PbIn1/2Nb1/2O3-28PbTiO3 и PbIn1/2Nb1/2O3-37PbTiO3, лежащих на разном расстоянии от морфотропной фазовой границы. Универсальный закон Кюри-Вейсса использовался для аппроксимации температурных зависимостей диэлектрической проницаемости. Показано, что чем дальше кристалл находится от морфотропной фазовой границы, тем больше величина gamma и, следовательно, больше размыт фазовый переход (в нулевом поле gamma=1.67 и 1.49 для PbIn1/2Nb1/2O3-28PbTiO3 и PbIn1/2Nb1/2O3-37PbTiO3 соответственно). Обнаружено, что небольшое электрическое поле до 2-3 kV/cm в случае более размытого фазового перехода практически не влияет на величину gamma, в то время как в кристалле PbIn1/2Nb1/2O3-37PbTiO3 gamma уменьшается с увеличением напряженности электрического поля, приближаясь к величине gamma=1, характерной для нормального сегнетоэлектрика. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (грант N 14-02-91151).
- D. Pandey, A.P. Singh, V.S. Tuwari. Bull. Mater. Sci. 15, 391 (1992)
- L.E. Cross. Jpn. J. App. Phys. 34, 2525 (1995)
- L.E. Cross. Ferroelectrics 76, 241 (1994)
- Z-G. Ye. Key. Eng. Mater. 155, 81 (1998)
- J. Chen, H.M. Chen, M.P. Harmer. J. Am. Ceram. Soc. 72, 593 (1989)
- P.J. Groves. Phys. C 19, 111 (1986)
- S. Wongsaenmai, A.S. Bhalla, R. Guo, S. Ananta, R. Yimnirum. Ferroelectr. Lett. 34, 36 (2007)
- A.A. Bokov, M.A. Leshenko, M.A. Malitskaya, I.P. Raevskii. J. Phys.: Cond. Matter 11, 4899 (1999)
- C.A. Randall, A.S Bhalla. Jpn. J. Appl. Phys. 29, 327 (1990)
- P.M. Gehring, G.Y. Xu, G. Shirane. J. Appl. Phys. 96, 1620 (2004)
- Z-G. Ye, B. Noheda, M. Dong, D. Cox, G. Shirane. Phys. Rev. B 64, 184 114 (2001)
- A.K. Singh, D. Pandey. Phys. Rev. B 67, 064 102 (2003)
- K. Uchino, S. Nomura. Ferroelectr. Lett. 44, 55 (1982)
- C.W. Tai, K.Z. Baba-Kishi. Acta Mater. 54, 5631 (2006)
- S.M. Piligrim, A.E. Sutherland, S.R. Winzer. J. Am. Ceram. Soc. 73, 3122 (1990)
- В.В. Кириллов, В.А. Исупов. Изв. АН СССР. Cер. физ. XXXIII, 2, 313 (1969)
- S.G. Lu, Z.K. Xu, Haydn Chen, X.Y. Zhao, H.S. Luo, J. Wang, H.L.W. Chan, C.L. Choy. Appl. Phys. Lett., 86, 142 905 (2005)
- Y. Guo, H. Luo, T. He, X. Pan, Z. Yin. Mater. Bull. 38, 857 (2003)
- S. Wongsaenmai, R. Yimnirum, S. Ananta, R. Guo, A.S. Bhalla. Mater. Lett. 62, 352 (2008)
- S. Saitoh, T. Takeuchi, I. Kobayashi, K. Harado, S. Shimanuki, Y. Yamashita. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3380 (1999)
- N. Yasuda, N. Mori, H. Ohwa, Y. Hosono, Y. Yamashita, M. Iwata, M. Maedo, I. Suzuki, Y. Ishibashi. Jpn. J. Appl. Phys. 41, 7007 (2002)
- Z. Yao, J. Chen, L.E. Cross. J. Appl. Phys. 54, 3399 (1983)
- J. Li, Z. Xu, X. Yao, Z.-Y. Cheng. J. Appl. Phys. 104, 024 112 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
