Вышедшие номера
Два режима создания трехмерных субмикронных структур методом лазерной литографии
Шишкин И.И.1,2, Самусев К.Б.1,2, Рыбин М.В.1,2, Лимонов М.Ф.1,2, Киян Р.В.3, Чичков Б.Н.3, Кившарь Ю.С.1,4, Белов П.А.1
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Laser Zentrum Hannover, Hannover, Germany
4Nonlinear Physics Center, Australian National University, Canberra, Australia
Email: m.rybin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Проведено исследование режимов создания трехмерных структур субмикронных размеров методом лазерной литографии, который основан на эффекте порогового процесса двухфотонной полимеризации фоточувствительного материала в фокусе лазерного луча. Для определения рабочей области литографа в координатах "мощность лазера-скорость перемещения образца относительно фокуса лазера" была изготовлена серия фотонных кристаллов с симметрией "поленницы" (woodpile structure). Детально анализируются два метода создания трехмерных структур - метод "растрового сканирования" и метод "векторной графики". На примере кристаллов инвертированного яблоновита продемонстрированы преимущества метода "векторной графики" для создания периодических структур. Полученные образцы изучались методом сканирующей электронной микроскопии. Работа выполнена при поддержке Правительства Российской Федерации (грант 074-U01) и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 13-02-00186).