Вышедшие номера
К вопросу о соответствии модели высокотемпературной преципитации классической теории зарождения
Таланин В.И.1, Таланин И.Е.1
1Институт экономики и информационных технологий, Запорожье, Украина
Email: v.i.talanin@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Рассмотрен вопрос об адекватности модели высокотемпературной преципитации в бездислокационных монокристаллах кремния классической теории зарождения и роста частиц второй фазы в твердых телах. Показано, что введение и учет тепловых условий роста кристалла в исходных уравнениях классической теории зарождения позволяют объяснить процессы преципитации в области высоких температур и расширяют таким образом теоретическую базу применения классической теории зарождения. В соответствии с моделью высокотемпературной преципитации наименьший критический радиус преципитатов кислорода и углерода наблюдается вблизи фронта кристаллизации. Во время охлаждения кристалла происходят рост и коалесценция преципитатов. В то же время в процессе термических обработок зарождение преципитатов начинается при низких температурах, а рост и коалесценция преципитатов происходят с увеличением температуры. Предполагается, что высокотемпературная преципитация примеси может определять общую кинетику дефектообразования в других бездислокационных монокристаллах полупроводников и металлов.
  1. V.I. Talanin, I.E. Talanin. In: New research on semiconductors / Ed. T.B. Elliot. Nova Science Publ., Inc., N. Y. (2006). P. 31
  2. V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth 59, 625 (1982)
  3. V.I. Talanin, I.E. Talanin. Defect Diffusion Forum 230--232, 177 (2004)
  4. V.V. Voronkov, B. Dai, M.S. Kulkarni. Compr. Sem. Sci. Technol. 3, 81 (2011)
  5. M.S. Kulkarni, V.V. Voronkov, R. Falster. J. Electrochem. Soc. 151, G663 (2004)
  6. E. Haimi. In: Handbook of silicon based MEMS materials and technologies / Eds V. Lindroos, M. Tilli, A. Lehto, T. Motooka. Elsevier Publ., Inc., Oxford (2010). P. 59
  7. M.S. Kulkarni. Ind. Eng. Chem. Res. 44, 6246 (2005)
  8. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 52, 1925 (2010)
  9. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 53, 114 (2011)
  10. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 52, 1751 (2010)
  11. V.I. Talanin, I.E. Talanin. In: Advances in crystallization processes / Ed. Y. Mastai. INTECH Publ., Rijeka (2012). P. 611
  12. J.W. Cristian. The theory of transformations in metals and alloys. Pergamon Press, London (1965). 973 p
  13. J. Vanhellemont, C. Claeys. J. Appl. Phys. 62, 3960 (1987)
  14. M.S. Kulkarni. J. Cryst. Growth 303, 438 (2007)
  15. M.S. Kulkarni. J. Cryst. Growth 310, 324 (2008)
  16. V.I. Talanin, I.E. Talanin. Phys. Status Solidi A 200, 297 (2003)
  17. A.A. Sitnikova, L.M. Sorokin, I.E. Talanin, E.G. Sheikhet, E.S. Falkevich. Phys. Status Solidi A 81, 433 (1984)
  18. A.A. Sitnikova, L.M. Sorokin, I.E. Talanin, E.G. Sheikhet, E.S. Falkevich. Phys. Status Solidi A 90, K31 (1985)
  19. A. Bourret, J. Thibault-Desseaux, D.N. Seidman. J. Appl. Phys. 55, 825 (1984)
  20. V.T. Bublik, N.M. Zotov. Cryst. Rep. 44, 635 (1997)
  21. M. Itsumi. J. Cryst. Growth 237--239, 1773 (2002)
  22. V.I. Talanin, I.E. Talanin, A.A. Voronin. Can. J. Phys. 85, 1459 (2007)
  23. V.I. Talanin, I.E. Talanin. Open Cond. Matter. Phys. J. 4, 8 (2011)
  24. V.I. Talanin, I.E. Talanin. J. Cryst. Growth 346, 45 (2012)
  25. Г. Эйринг, С.Г. Лин, С.М. Лин. Основы химической кинетики. Мир, М. (1983). 528 с
  26. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  27. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  28. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 49, 450 (2007)
  29. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 55, 247 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.