Исследованы магнитные свойства и доменная структура эпитаксиальных пленок Со, полученных на модифицированной поверхности Si(111). Вначале были изучены процессы роста наноструктур силицида меди на поверхности Si(111). На поверхности Si(111)-5.55x5.55-Cu формировались кластеры силицида меди при температуре подложки ~550^oС. Сформированные наноструктуры имеют идеальную огранку, боковые ребра и длинная сторона проволок ориентированы вдоль кристаллографических направлений <110>Si. Затем на сформированные структуры осаждали пленки Со. Исследование коэрцитивной силы и приведенной остаточной намагниченности показало, что пленки Со(111) имеют кристаллографическую анизотропию шестого порядка. Коэрцитивная сила пленок Со, осажденных на слой буфера Сu, в ~6 раз меньше, чем пленок Со, осажденных на поверхности Si(111)-5.55x5.55-Cu и Si(111)-5.55x5.55-Cu/кластеры (Сu-Si). Работа поддержана Министерством образования и науки и Научным фондом Дальневосточного государственного университета.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.