Вышедшие номера
Резонанс Фрёлиха в системе AsSb/AlGaAs
Ушанов В.И.1,2, Чалдышев В.В.1,2, Ильинская Н.Д.1, Лебедева Н.М.1, Яговкина М.А.1, Преображенский В.В.3, Путято М.А.3, Семягин Б.Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Исследуется оптическое поглощение в металлополупроводниковом метаматериале на основе матрицы AlGaAs. Ключевой особенностью такого материала является наличие хаотических массивов металлических нановключений AsSb, модифицирующих его диэлектрические свойства. Показано, что наличие таких массивов приводит к резонансному поглощению света поверхностными плазмонами в AsSb-нановключениях в диапазоне энергий падающих фотонов 1.37-1.77 eV. В экспериментальном спектре коэффициента экстинкции при энергии 1.48 eV наблюдается резонансный пик, полуширина которого равняется 0.18 eV. По теории Ми выполнен расчет коэффициента экстинкции для нановключений AsSb в матрице AlGaAs. Его спектр также содержит резонансный пик, энергия и полуширина которого равняются 1.48 и 0.18 eV соответственно. Расчетная величина плазменной энергии для свободных нановключений в вакууме составила 7.38 eV. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант N 14-02-01123).
  1. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. VIII. Электродинамика сплошных сред. Наука, М. (1982). 624 с
  2. Г. ван де Хюлст. Рассеяние света малыми частицами. ИИЛ, М. (1961). 537 с. [H.C. van de Hulst. Light scattering by small particles. Dover, NY 1981)]
  3. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики. Наука, М. (1973). 721 с
  4. D.D. Nolte. J. Appl. Phys. 76, 3740 (1994)
  5. D. Crouse, D.D. Nolte, J.C.P. Chang, M.R. Melloch. J. Appl. Phys. 81, 7981 (1997)
  6. П.В. Лукин, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП 46, 1314 (2012)
  7. J.H. Xu, E.G. Wang, C.S. Ting, W.P. Su. Phys. Rev. B 48, 17 271 (1993)
  8. В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП 47, 1043 (2013)
  9. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ 35, 2609 (1993)
  10. Н.Н. Фалеев, В.В. Чалдышев, А.Е. Куницын, В.В. Преображенский, М.А .Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков. ФТП 32, 24 (1998)
  11. D.A. Vasyukov, M.V. Baidakova, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. J. Phys. D 34, A15 (2001)
  12. M.V. Baidakova, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.N. Nevedomsky, M.A. Yagovkina, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Acta Cryst. B 69, 30 (2013)
  13. G.M. Martin. Appl. Phys. Lett. 39, 9 (1981)
  14. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett. 74, 1588 (1999)
  15. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett. 80, 377 (2002)
  16. К. Борен, Д. Хафмен. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. Мир, М. (1986). 664 с
  17. Yu.A. Goldberg, N.M. Schmidt. Handbook series on semiconductor parameters. V. 2 / Eds M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. World Scientific, London (1999). P. 62--88
  18. Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП 17, 108 (1983)
  19. S. Adachi. J. Appl. Phys. 58, R1 (1985)
  20. С.А. Майер. Плазмоника. Теория и приложения. R\&C Dynamics, М. (2011). 296 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.