Издателям
Вышедшие номера
Теоретическое изучение термодинамической стабильности и электронной структуры тонких пленок 3C-, 2H-, 2D-карбида кремния
Кузубов А.А.1, Елисеева Н.С.1, Краснов П.О.1, Томилин Ф.Н.1, Федоров А.С.1, Толстая А.В.1
1Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Email: natasha.eliseeva90@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Карбид кремния --- один из самых распространенных материалов полупроводниковой техники. Тонкие пленки карбида кремния привлекательны с точки зрения создания приборов на основе гетеропереходов. Это связано с такой характерной особенностью данного соединения, как политипизм, приводящий к различию по физическим свойствам, а также осложняющий получение образцов материала высокого качества. В настоящей работе проводилось исследование термодинамической стабильности и электронной структуры ряда тонких пленок порядка нескольких нанометров на основе политипов 3C, 2H и 2D.
  • Е.А. Беленков, Э.Н. Агалямова. Вестн. Челябинского гос. ун-та. Физика 24, 13 (2009)
  • J.B. Casady, R.W. Johnson. Solid State Electr. 39, 1409 (1996)
  • Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Кристаллография 28, 910 (1983)
  • В.И. Гавриленко. Оптические свойства полупроводников. Наук. думка, Киев (1987). 605 с
  • W.R. Lambrecht, S. Limpijumnog, B. Segall. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 263 (1996)
  • T.T. Mnatsakano, M.E. Levinshtein, L.I. Pomortseva. Semicond. Sci. Technol. 17, 974 (2002)
  • D. Morelli, J. Hermans, C. Beetz. Institute of Physics Conference Series 137, 313 (1993)
  • A.A. Лебедев. ФТП 33, 769 (1999)
  • E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Zubrilov. Appl. Phys. 90, 5402 (2001)
  • M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk. Appl. Phys. Lett. 78, 117 (2001)
  • J.E. Spanier, G.T. Dunne, L.B. Rowland. Appl. Phys. Lett. 76, 3879 (2000)
  • J.K. Jeong, M.Y. Um, H.J. Na. Mater. Sci. Forum 389, 267 (2002)
  • B. Baumeier, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B 76, 085 407 (2007)
  • H. Sahin, S. Cahangirov, M. Topsakal. Phys. Rev. B 80, 155 453 (2009)
  • S.S. Lin. J. Phys. Chem. C 116, 3951 (2012)
  • A. Fissel. Phys. Rep. 379, 149 (2003)
  • А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов. Письма ЖТФ 18, 89 (2001)
  • А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина. Письма ЖТФ 23, 78 (2002)
  • А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП 33, 1096 (1999)
  • А.В. Лебедев, С.С. Сбруев. Наука, технология, бизнес 5, 28 (2006)
  • J. Aguilar, L. Urueta, Z. Valdez. Journal of Microwave Power \& Electromagnetic Energy 40, 145 (2007)
  • S. Sugiyama, M. Togaya. J. Am. Ceram. Soc. 84, 3013 (2001)
  • L. Freeman, F. Claeyssens, N.L. Allan. Phys. Rev. Let. 96, 066 102 (2006)
  • G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B 47, 558 (1993)
  • G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B 49, 14 251 (1994)
  • G. Kresse, J. Furthmuller. Phys. Rev. B 54, 11 169 (1996)
  • P. Hohenberg, W. Kohn. Phys. Rev. 136, 864 (1964)
  • W. Kohn, L.J. Sham. Phys. Rev. 140, A1133 (1965)
  • D. Vanderbilt. Phys. Rev. B 41, 7892 (1990)
  • C.H. Park, Byoung-Ho Cheong, Keun-Ho Leel. Phys. Rev. B 49, 4485 (1994)
  • H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B 13, 5188 (1976)
  • J. Pollmann, P. Kruger. J. Phys.: Condens. Matter. 16, S1659 (2004)
  • В.Ю. Аристов. УФН 171, 801 (2001)
  • В.Ю. Куликовский, В. Ворличек, П. Богач. Наноструктурное материаловедение 1, 42 (2008)
  • J.E. Moussa, P.A. Schultz, J.R. Chelikowsky. J. Chem. Phys. 136, 204 117 (2012)
  • C. Persson, U. Lindefelt. J. Appl. Phys. 82, 5496 (1997)
  • G.L. Harris / Properties of Silicon Carbide. INSPEC, London (1995). 120 p
  • В.В. Воеводин, С.А. Жуматий, С.И. Соболев, А.С. Антонов, П.А. Брызгалов, Д.А. Никитенко, К.С. Стефанов, В.В. Воеводин. Открытые системы 7, 36 (2012)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.