Вышедшие номера
Теоретическое изучение термодинамической стабильности и электронной структуры тонких пленок 3C-, 2H-, 2D-карбида кремния
Кузубов А.А.1, Елисеева Н.С.1, Краснов П.О.1, Томилин Ф.Н.1, Федоров А.С.1, Толстая А.В.1
1Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Email: natasha.eliseeva90@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Карбид кремния --- один из самых распространенных материалов полупроводниковой техники. Тонкие пленки карбида кремния привлекательны с точки зрения создания приборов на основе гетеропереходов. Это связано с такой характерной особенностью данного соединения, как политипизм, приводящий к различию по физическим свойствам, а также осложняющий получение образцов материала высокого качества. В настоящей работе проводилось исследование термодинамической стабильности и электронной структуры ряда тонких пленок порядка нескольких нанометров на основе политипов 3C, 2H и 2D.
  1. Е.А. Беленков, Э.Н. Агалямова. Вестн. Челябинского гос. ун-та. Физика 24, 13 (2009)
  2. J.B. Casady, R.W. Johnson. Solid State Electr. 39, 1409 (1996)
  3. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Кристаллография 28, 910 (1983)
  4. В.И. Гавриленко. Оптические свойства полупроводников. Наук. думка, Киев (1987). 605 с
  5. W.R. Lambrecht, S. Limpijumnog, B. Segall. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 263 (1996)
  6. T.T. Mnatsakano, M.E. Levinshtein, L.I. Pomortseva. Semicond. Sci. Technol. 17, 974 (2002)
  7. D. Morelli, J. Hermans, C. Beetz. Institute of Physics Conference Series 137, 313 (1993)
  8. A.A. Лебедев. ФТП 33, 769 (1999)
  9. E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Zubrilov. Appl. Phys. 90, 5402 (2001)
  10. M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk. Appl. Phys. Lett. 78, 117 (2001)
  11. J.E. Spanier, G.T. Dunne, L.B. Rowland. Appl. Phys. Lett. 76, 3879 (2000)
  12. J.K. Jeong, M.Y. Um, H.J. Na. Mater. Sci. Forum 389, 267 (2002)
  13. B. Baumeier, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B 76, 085 407 (2007)
  14. H. Sahin, S. Cahangirov, M. Topsakal. Phys. Rev. B 80, 155 453 (2009)
  15. S.S. Lin. J. Phys. Chem. C 116, 3951 (2012)
  16. A. Fissel. Phys. Rep. 379, 149 (2003)
  17. А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов. Письма ЖТФ 18, 89 (2001)
  18. А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина. Письма ЖТФ 23, 78 (2002)
  19. А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП 33, 1096 (1999)
  20. А.В. Лебедев, С.С. Сбруев. Наука, технология, бизнес 5, 28 (2006)
  21. J. Aguilar, L. Urueta, Z. Valdez. Journal of Microwave Power \& Electromagnetic Energy 40, 145 (2007)
  22. S. Sugiyama, M. Togaya. J. Am. Ceram. Soc. 84, 3013 (2001)
  23. L. Freeman, F. Claeyssens, N.L. Allan. Phys. Rev. Let. 96, 066 102 (2006)
  24. G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B 47, 558 (1993)
  25. G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B 49, 14 251 (1994)
  26. G. Kresse, J. Furthmuller. Phys. Rev. B 54, 11 169 (1996)
  27. P. Hohenberg, W. Kohn. Phys. Rev. 136, 864 (1964)
  28. W. Kohn, L.J. Sham. Phys. Rev. 140, A1133 (1965)
  29. D. Vanderbilt. Phys. Rev. B 41, 7892 (1990)
  30. C.H. Park, Byoung-Ho Cheong, Keun-Ho Leel. Phys. Rev. B 49, 4485 (1994)
  31. H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B 13, 5188 (1976)
  32. J. Pollmann, P. Kruger. J. Phys.: Condens. Matter. 16, S1659 (2004)
  33. В.Ю. Аристов. УФН 171, 801 (2001)
  34. В.Ю. Куликовский, В. Ворличек, П. Богач. Наноструктурное материаловедение 1, 42 (2008)
  35. J.E. Moussa, P.A. Schultz, J.R. Chelikowsky. J. Chem. Phys. 136, 204 117 (2012)
  36. C. Persson, U. Lindefelt. J. Appl. Phys. 82, 5496 (1997)
  37. G.L. Harris / Properties of Silicon Carbide. INSPEC, London (1995). 120 p
  38. В.В. Воеводин, С.А. Жуматий, С.И. Соболев, А.С. Антонов, П.А. Брызгалов, Д.А. Никитенко, К.С. Стефанов, В.В. Воеводин. Открытые системы 7, 36 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.