Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2014, выпуск 8 » Статья стр. 1564
<<<>>>
Оптические исследования фазового перехода металл/диэлектрик в органическом низкоразмерном проводнике (EDT--TTF)4[Hg3I8]
Власова Р.М.1, Петров Б.В.1, Жиляева Е.И., Торунова С.А., Любовская Р.Н.
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
PDF версия
Представлены поляризованные спектры отражения монокристаллов низкоразмерного органического проводника (EDT-TTF)4[Hg3I8], испытывающего фазовый переход металл/диэлектрик при температуре T < 35 K. Спектральная область исследования 700-6000 cm-1 (0.087-0.74 eV), область температур 300 - 9 K. Показано, что спектры отражения определяются системой квазисвободных электронов верхних, наполовину занятых молекулярных pi-орбиталей, которые в кристаллах образуют наполовину заполненную металлическую зону. Установлены высокая анизотропия спектров и их температурная зависимость. Для двух поляризаций проведен количественный анализ спектров при 100 и 25 K в рамках феноменологической модели Друде, определены эффективная масса носителей заряда и ширина исходной pi-электронной металлической зоны, установлен квазиодномерный характер проводящей системы в кристаллах. При понижении температуры обнаружены существенные изменения спектров, указывающие на возникновение энергетического зазора (или псевдозазора) в спектре электронных состояний в области ~1500-2500 cm-1. В низкочастотной области (700 - 1600 cm-1) отмечена вибрационная структура, наиболее интенсивная особенность которой (omega = 1340 cm-1) обусловлена взаимодействием электронов с внутримолекулярными колебаниями C=C-связей молекулы EDT-TTF. Для температур 15 и 9 K проведен анализ спектров в рамках теоретической модели "фазовых фононов", учитывающей взаимодействие электронов с внутримолекулярными колебаниями. Сделан вывод, что наблюдаемый в спектрах отражения кристаллов переход металл/диэлектрик подобен пайерлсовскому диэлектрическому переходу, который происходит в системе электронов, связанных с внутримолекулярными колебаниями образующих кристалл молекул. Работа частично поддержана программой ОФН РАН II "Физика кондерсированных сред" (Подпрограмма II.3.)
  1. E.I. Zhilyaeva, S.A. Torunova, R.N. Lyubovskaya, G.A. Mousdis, G.C. Papavassiliou, J.A.A.J. Perenboom, S.I. Pesotskii, R.B. Lyubovskii. Synth. Met. 140, 151 (2004)
  2. R.N. Lyubovskaya, E.I. Zhilyaeva, S.A. Torunova, G.A. Mousdis, G.C. Papavassiliou, J.A.A.J. Perenboom, S.I. Pesotskii, R.B. Lyubovskii. J. de Phys. IV (France) 114, 463 (2004)
  3. Е.И. Жиляева, В.Н. Семкин, Е.И. Юданова, Р.М. Власова, С.А. Торунова, А.М. Флакина, Дж.А. Моусдис, К.В. Ван, А. Грая, А. Лапинский, Р.Б. Любовский, Р.Н. Любовская. Изв. АН. Сер. хим. 7, 1331 (2010)
  4. E.I. Zhilyaeva, A.Y. Kovalevsky, R.B. Lyubovskii, S.A. Torunova, G.A. Mousdis, G.C. Papavassiliou, R.N. Lyubovskaya. Cryst. Growth Design 7, 12, 2768 (2007)
  5. Оптические свойства полупроводников / Под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира. Мир, М. (1970) 489
  6. M.G. Kaplunov, T.P. Panova, U.G. Borodko. Phys. Status. Solidi A 13, K67 (1972)
  7. M.G. Kaplunov, E.B. Yagubskii, L.P. Rosenberg, Yu.G. Borodko. Phys. Stat. Solidi A 89, 509 (1985)
  8. Р.М. Власова, О.О. Дроздова, В.Н. Семкин, Н.Д. Кущ, Э.Б. Ягубский. ФТТ 35, 3, 795 (1993); Synth. Met. O.O. Drozdova, V.N. Semkin, R.M. Vlasova, N.D. Kushch, E.B. Yagubskii. 64, 17 (1994)
  9. M.J. Rice, V.M. Yartsev, C.S. Jacobsen. Phys. Rev. B 21, 3437 (1980)
  10. C.S. Jacobsen, D.B. Tanner, K. Bechgaard. Phys. Rev. Lett. 46, 1142 (1981)
  11. K. Kornelsen, J.E. Eldridge, H.H. Wang, J.M. Williams. Phys. Rev. B 44, 5235 (1991)
  12. М. Власова, О.О. Дроздова, В.Н. Семкин, Н.Д. Кущ, Е.И. Жиляева, Р.Н. Любовская, Э.Б. Ягубский. ФТТ 41, 5, 897 (1999)
  13. D. Faltermeier, J. Barz, M. Dumm, M. Dressel, N. Drichko, B. Petrov, V.N. Semkin, R. Vlasova, C. Mezier, P. Batail. Phys. Rev. B 76, 165 113 (2007)
  14. Р.М. Власова, Н.В. Дричко, Б.В. Петров, В.Н. Семкин, D. Faltermeier, J. Barz, M. Dumm, M. Dressel, C. Mezier, P. Batail. ФТТ 51, 5, 986 (2009)
  15. Р.М. Власова, Н.В. Дричко, Б.В. Петров, В.Н. Семкин, Е.И. Жиляева, О.А. Богданова, Р.Н. Любовская, А. Грайя. ФТТ 44, 1, 9 (2002)
  16. Р.М. Власова, Б.В. Петров, В.Н. Семкин, Е.И. Жиляева, С.А. Торунова. ФТТ 55, 1, 116 (2013)
  17. M.J. Rice. Phys. Rev. Lett. 37, 1, 36 (1976)
  18. A. Lapinski, R.N. Lyubovskaya, E.I. Zhilyaeva. Chem. Phys. 323, 161 (2006)
  19. Р.М. Власова, Б.В. Петров, В.Н. Семкин, Е.И. Жиляева, С.А. Торунова, Р.Н. Любовская. ФТТ 55, 9, 1797 (2013)
  20. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. ФИЗМАТГИЗ, М.--Л. (1964). 417 с
  21. Р. Пайерлс. Квантовая теория твердых тел. ИИЛ, М. (1956). 257 с
  22. Л.Н. Булаевский. УФН 115, 2, 263 (1975)
  23. M.G. Kaplunov, R.N. Lyubovskaya, M.Z. Aldoshina, Yu.G. Borodko. Phys. Status. Solidi A 104, 833, (1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme