Вышедшие номера
Фотоэлектрическая активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2 : La
Одринский А.П.1, Мамедов Т.Г.2, Seyidov M.-H.Yu.2,3, Алиева В.Б.2
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Department of Physics, Gebze Institute on Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey
Email: odra@mail333.com
Поступила в редакцию: 23 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия использована при изучении глубокоуровневых дефектов сегнетоэлектрика--полупроводника TlInS2. Сравниваются особенности их регистрации в легированном лантаном и нелегированном монокристаллах. Предложено объяснение снижения фотоэлектрической активности дефектов в легированном образце.
  1. С.Б. Вахрушев, В.В. Жданов, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Аллахвердиев, Р.А. Алиев, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 6, 245 (1984)
  2. D.V. Lang. J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)
  3. M.H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, A.P. Odrinsky, A.I. Nadjafov, T.G. Mammadov, E.G. Samadli. J. Jpn. Appl. Phys. 50, 5, 05FC08 (2011)
  4. Ch. Hurter, M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett. 32, 821 (1978)
  5. И.А. Давыдов, А.П. Одринский. РЖ Электроника 11, 4 (1990)
  6. А.А. Волков, Ю.Г. Гончаров, Г.В. Козлов, К.Р. Алахвердиев, Р.М. Сардарлы. ФТТ 25, 3583 (1983)
  7. S. \:Ozdemir, R. Suleymanov, M. Bucurgat, E. Bulur. Turk. J. Phys. 23, 1013 (1999)
  8. А.П. Одринский. ФТП 39, 660 (2005)
  9. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М. (1963). 496 c
  10. J.A. Kalomiros, A.N. Anagnostopoulos. Phys. Rev. B 50, 7488 (1994)
  11. K.R. Allakhverdiev, T.G. Mammadov, R.A. Suleymanov, N.Z. Gasanov. J. Phys.: Cond. Matter 5, 1291 (2003)
  12. M.H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, F. Salehli. J. Appl. Phys. 108, 024 111 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.