Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрическая активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2 : La
Одринский А.П.1, Мамедов Т.Г.2, Seyidov M.-H.Yu.2,3, Алиева В.Б.2
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Department of Physics, Gebze Institute on Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey
Email: odra@mail333.com
Поступила в редакцию: 23 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия использована при изучении глубокоуровневых дефектов сегнетоэлектрика--полупроводника TlInS2. Сравниваются особенности их регистрации в легированном лантаном и нелегированном монокристаллах. Предложено объяснение снижения фотоэлектрической активности дефектов в легированном образце.
  • С.Б. Вахрушев, В.В. Жданов, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Аллахвердиев, Р.А. Алиев, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 6, 245 (1984)
  • D.V. Lang. J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)
  • M.H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, A.P. Odrinsky, A.I. Nadjafov, T.G. Mammadov, E.G. Samadli. J. Jpn. Appl. Phys. 50, 5, 05FC08 (2011)
  • Ch. Hurter, M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett. 32, 821 (1978)
  • И.А. Давыдов, А.П. Одринский. РЖ Электроника 11, 4 (1990)
  • А.А. Волков, Ю.Г. Гончаров, Г.В. Козлов, К.Р. Алахвердиев, Р.М. Сардарлы. ФТТ 25, 3583 (1983)
  • S. \:Ozdemir, R. Suleymanov, M. Bucurgat, E. Bulur. Turk. J. Phys. 23, 1013 (1999)
  • А.П. Одринский. ФТП 39, 660 (2005)
  • С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М. (1963). 496 c
  • J.A. Kalomiros, A.N. Anagnostopoulos. Phys. Rev. B 50, 7488 (1994)
  • K.R. Allakhverdiev, T.G. Mammadov, R.A. Suleymanov, N.Z. Gasanov. J. Phys.: Cond. Matter 5, 1291 (2003)
  • M.H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, F. Salehli. J. Appl. Phys. 108, 024 111 (2010)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.