Вышедшие номера
Влияние слабого магнитного поля на микропластичность кристаллов кремния
Макара В.А.1, Стебленко Л.П.1, Плющай И.В.1, Курилюк А.Н.1, Калиниченко Д.В.1, Крит А.Н.1, Науменко С.Н.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Теоретически исследуется возможность формирования магнитного упорядочения на оборванных связях в ядре дислокации. Экспериментально показано, что магнитное упорядочение на дислокациях влияет на спин-зависимые эффекты, протекающие в дислокационных кристаллах кремния. Установлено, что предварительная магнитная обработка кристаллов Si в слабом магнитном поле приводит к гашению электропластического эффекта, возникающего в кристаллах кремния при возбуждении их током. Предполагается, что изменение микропластичности при комбинированном воздействии магнитного и электрического тока вызвано ослаблением канала спин-зависимой рекомбинации на дислокационных оборванных связях.