Издателям
Вышедшие номера
Магнетосопротивление эпитаксиальных пленок La0.67Sr0.33MnO3, выращенных на подложке с малым рассогласованием в параметрах кристаллических решеток
Бойков Ю.А.1, Клаесон Т.2, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Исследованы структура, электро- и магнетосопротивление гетероэпитаксиальных пленок (120 nm) La0.67Sr0.33MnO3, практически недеформированных подложкой. Резкий максимум отрицательного магнетосопротивления MR~27% (mu0H=4 T) наблюдался при T~360 K. MR монотонно уменьшалось с температурой, но и при 150 K превышало 2%. При T<250 K температурная зависимость электросопротивления rho пленок La0.67Sr0.33MnO3 хорошо аппроксимировалась соотношением rho=rho0+rho1(H)T2.3, где rho0=1.1· 10-4 Omega·cm, rho1(H=0)=1.8· 10-9 Omega·cm/K2.3, а rho1(mu0H=4 T)/rho1(H=0)~0.96. Определена температурная зависимость параметра gamma, характеризующего интенсивность подавления магнитным полем (mu0H=5 T) электросопротивления ферромагнитной фазы пленок La0.67Sr0.33MnO3. Исследования проводились в рамках научного сотрудничества между Российской и Шведской королевской академиями наук. Финансовая поддержка работы частично получена в рамках проекта 9Б19 программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры" и проекта N 04-02-16212-a Российского фонда фундаментальных исследований.
  1. M. Pannetier, C. Fermon, G. de Goff, J. Simola, E. Kerr. Science 304, 5677, 1646 (2004)
  2. S.S.P. Parkin, K.P. Roche, M.G. Samant, P.M. Rice, R.B. Beyers, R.E. Scheuerlein, E.J. O'Sullivan, S.L. Brown, J. Bucchigano, D.W. Abraham, Y. Lu, M. Rooks, P.L. Trouiloud, R.A. Wanner, W.G. Gallagher. J. Appl. Phys. 85, 8, 5828 (1999)
  3. Z.W. Dong, R. Ramesh, T. Venkatesan, M. Johnson, Z.Y. Chen, S.P. Pai, V. Talyansky, R.P. Sharma, R. Shreekala, C.J. Lobb, R.L. Greene. Appl. Phys. Lett. 71, 12, 1718 (1997)
  4. M. Bowen, M. Bibes, A. Barthelemy, J.-P. Contour, A. Anane, Y. Lemaitre, A. Fert. Appl. Phys. Lett. 82, 2, 233 (2003)
  5. V. Garcia, M. Bides, A. Barthelemy, M. Bowen, E. Jacquet, J.-P. Contour, A. Fert. Phys. Rev. B 69, 5, 052 403 (2004)
  6. Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 1, 435 (2004)
  7. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон. ФТТ 47, 2, 274 (2005)
  8. T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 9, 4357 (1971)
  9. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica B (Amsterdam) 311, 3--4, 250 (2002)
  10. M.C. Martin, G. Shirane, Y. Endoh, K. Hirota, Y. Moritomo, Y. Tokura. Phys. Rev. B 53, 21, 14 285 (1996)
  11. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ЖТФ 71, 10, 54 (2001)
  12. G.J. Snyder, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasly, T.H. Geballe. Phys. Rev. B 53, 21, 14 434 (1996)
  13. K. Kubo, N. Ohata. J. Phys. Soc. Jpn. 33, 1, 21 (1972)
  14. D.A. Goodings. Phys. Rev. 132, 2, 542 (1963)
  15. B. Raquet, M. Virtet, J.M. Broto, E. Sondergard, O. Cespedes, R. Mamy. J. Appl. Phys. 91, 10, 8129 (2002)
  16. P. Schiffer, A.P. Ramirez, W. Bao, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 75, 18, 3336 (1995)
  17. J.M. de Teresa, M.R. Ibarra, J. Blasco, J. Garcia, C. Marquina, P.A. Algarabel, Z. Arnold, K. Kamenev, C. Ritter, R. von Helmolt. Phys. Rev. B 54, 2, 1187 (1996)
  18. B. Raquet, M. Viret, E. Sondergard, O. Cespedes, R. Mamy. Phys. Rev. B 66, 2, 024 433 (2002)
  19. Y. Tokura. In: Collossal Magnetoresistive Oxides / Ed. Y. Tokura. Cordon and Breach Science Publ., Amsterdam, The Netherlands (2000). P. 22
  20. H.Y. Hwang, S.-W. Cheong, N.P. Ong, B. Batlogg. Phys. Rev. Lett. 77, 10, 2041 (1996)
  21. E. Dan Dahlberg, K. Riggs, G.A. Prinz. J. Appl. Phys. 63, 8, 4270 (1988)
  22. Y.-A. Soh, G. Aeppli, C.-Y. Kim, N.D. Mathur, M.G. Blamire. J. Appl. Phys. 93, 10, 8322. (2003)
  23. K. Steenbeck, R. Hiergeist. Appl. Phys. Lett. 75, 12, 1778 (1999)
  24. H.S. Wang, E. Wertz, Y.F. Hu, Q. Li. J. Appl. Phys. 87, 9, 6749 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.