Вышедшие номера
Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Сошников И.П.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,3, Тонких А.А.2,3, Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Дубровский В.Г.1,2, Устинов В.М.1,2, Горбенко О.М.3, Litvinov D.4, Gerthsen D.4
1Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Technical University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
Email: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Проведено исследование структурных свойств нитевидных нанокристаллов GaAs и Al0.3Ga0.7As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрировано образование в исследуемых материалах гексагональных структур типа вюрцит и 4H-политип с характерными размерами до 100 nm и более. Сделан вывод о влиянии на образование гексагональной структуры симметрии активационного сплава Au-Ga. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований. Г.Э.Ц. выражает признательность Alexander von Humboldt Schtiftung, A.A.T. благодарит Deutsche Forschungsgemeinschaft.