О возможности определения диффузионной длины экситонов в полупроводниках на основе данных фотомагнитных измерений
Атабаев И.Г.1, Матчанов Н.А.1, Хажиев М.У.1, Саидов Д.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: sirnornur@uzsci.net
Поступила в редакцию: 21 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.
Представлены результаты исследования влияния магнитного поля на фототок Iph в Si и GaAs солнечных элементах. Показано, что изменение фототока Iph солнечных элементов в магнитном поле может быть связано с уменьшением диффузионной длины экситонов Lexc. Предложена упрощенная модель фотомагнитного эксперимента для оценки Lexc и вклада экситонов в фототок солнечных элементов.
- M.J. Keevers, M.A. Green. J. Appl. Phys. 75, 4022 (1994)
- S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys. 82, 10, 1(1997)
- P.P. Altermatt, J. Schmidt, G. Heiser, A.G. Aberle. J. Appl. Phys. 82, 4938 (1997)
- R. Corkish, D. S.-P. Chan, M.A. Green. Appl. Phys. 79, 1, 195 (1996)
- I.G. Atabaev, N.A. Matchanov et. al. Proc. Int. Conf. on Quantum Complexities in Condensed Matter. Bukhara, Uzbekistan (2003). P. 17
- М.М. Колтун. Солнечные элементы. Наука, М. (1987). С. 66
- T. Someya, H. Akiyama, H. Sakaki. Phys. Rev. Lett. 76, 16, 2965 (1996)
- M.Z. Maiale, M.H. Degani. Semicond. Sci. Technol. 16, 982 (2001)
- А.Н. Резницкий, А.В. Корниевский, А.А. Кисилев, А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров, С.Ю. Вербин, Л.Н. Тенишев, H. Gerlach, M. Hetterich, M. Grun, C. Klingshirn. ФТТ 40, 5, 900 (1998)
- K. Zeeger. Semiconductor physics. Springer-Verlag, Wien (1973)
- J. Singh, P.T. Landsberg. J. Phys. C: Solid State Phys. 9, 3627 (1976)
- M. Trlifaj. Czech. J. Phys. B 15, 780 (1965)
- M. Trlifaj. Czech. J. Phys. B 14, 227 (1964)
- A.P. Gorban et al. Semiconductor Physics. Quantum Electronics \& Optoelectronics 3, 3, 322 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.