В результате изучения фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGa_1-xYb_xS₂ (x=0,0.01) установлено, что частичное замещение галлия иттербием приводит к увеличению удельного сопротивления полученных образцов, смещению максимума собственного фототока в длинноволновую область спектра, существенному расширению области спектральной чувствительности и увеличению амплитуды примесного фототока. Изучение рентгендозиметрических характеристик монокристаллов TlGa_1-xYb_xS₂ показало, что в результате частичного замещения Ga->Yb в TlGaS₂ коэффициент рентгеночувствительности заметно увеличивается, а рентген-амперные характеристики Delta I_E,0~ E^alpha стремятся к линейности (alpha=1) в области малых интенсивностей (E, R/min) мягкого рентгеновского излучения. В области высоких интенсивностей жесткого рентгеновского излучения alpha->0.5 как для исходного, так и для легированного иттербием монокристалла TlGaS₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.