Вышедшие номера
Рентгенодифракционное исследование влияния нейтронного облучения на процессы дефектообразования в отожженных при высоких температурах кристаллах Cz-Si
Макара В.А.1, Новиков Н.Н.1, Пацай Б.Д.1
1Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
Email: pacaj@univ.kiev.ua
Поступила в редакцию: 10 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Методами трехкристальной дифрактометрии выполнено сравнительное исследование рассеяния рентгеновского излучения нейтронно-облученными и эталонными, выращенными по методу Чохральского кристаллами кремния после их отжига при температурах 850-1050oC. Рассчитаны соответствующие значения размеров и концентраций кластеров точечных дефектов и дислокационных петель, которые образуются в процессе распада твердого раствора кислорода и кластеризации радиационных дефектов.