Издателям
Вышедшие номера
Техника проектирования для анализа заселенностей атомных орбиталей в кристаллах
Тупицын И.И.1, Эварестов Р.А.1, Смирнов В.П.2
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: evarest@hm.csa.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Проведен сравнительный анализ одноэлектронной матрицы плотности кристалла в базисе локализованных орбиталей, полученной в двух вариантах техники проектирования: A --- проектирование кристаллических орбиталей на пространство атомных орбиталей и B --- проектирование атомных функций на пространство кристаллических орбиталей. Предложено упрощение метода B, позволяющее избежать при его реализации трудоемких расчетов с большим числом вакантных кристаллических орбиталей. В рамках обоих методов выполнены расчеты локальных характеристик (атомные заряды и ковалентности, порядки связей) электронной структуры ряда кристаллов (Si, SiC, GaAs, MgO, кубический BN и TiO2 в структуре рутила) методом функционала плотности, в обобщенном градиентном приближении, в базисе плоских волн и с использованием сохраняющих норму псевдопотенциалов. Установлено, что оба варианта техники проектирования приводят к близким результатам для локальных характеристик электронной структуры. Для кристалла TiO2 в структуре рутила проведено сравнение локальных характеристик электронной структуры, полученных на основе техники проектирования и с помощью построения вариационным методом функций Ваннье атомного типа (ФВАТ) в минимальном валентном базисе на основе расчета кристаллических орбиталей в приближении линейной комбинации атомных орбиталей (ЛКАО). Показано, что несмотря на использование существенно различных базисов в расчетах кристаллических орбиталей (плоские волны в технике проектирования и ЛКАО в методе ФВАТ) локальные характеристики электронной структуры имеют близкие значения.
  1. M.C. Payne, M.P. Teter, D.C. Alan, T.A. Arias, J.D. Joannopoulos. Rev. Mod. Phys. 64, 1045 (1992)
  2. C.M. Zicovich-Wilson, A. Bert, C. Roetti, R. Dovesi, V.R. Saunders. J. Chem. Phys. 116, 1120 (2002)
  3. Р.А. Эварестов, И.И. Тупицын. ФТТ 44, 1582 (2002)
  4. V.P. Smironov, R.A. Evarestov, D.E. Usvyat. Int. J. Quantum Chem. 88, 642 (2002)
  5. Р.А. Эварестов, Д.Е. Усвят, В.П. Смирнов. ФТТ 45, 1972 (2003)
  6. R.A. Evarestov, V.P. Smirnov. Site Symmetry in Crystals: Theory and Applications. Springer Series in Solid State Sciences. Vol. 108. Springer, Berlin (1997)
  7. R.A. Evarestov, V.P. Smirnov, I.I. Tupitsyn, D.E. Usvyat. Int. J. Quantum Chem. 102 (2005), to be published
  8. D. Sanchez-Portal, E. Artacho, J.M. Soler. Solid State Commun. 95, 685 (1995)
  9. W.C. Lu, C.Z. Wang, T.L. Chan, K. Ruedenberg, K.M. Ho. Phys. Rev. B 70, 041 101 (2004)
  10. M.D. Segall, C.J. Pickard, R. Shah, M.C, Payne. Mol. Phys. 89, 571 (1996)
  11. R.A. Evarestov, V.P. Smirnov, I.I. Tupitsyn, D.E. Usvyat. Phys. Stat. Sol. (b) 241, R35 (2004)
  12. R.S. Mulliken. J. Chem. Phys. 23, 1833 (1955)
  13. I. Mayer. Int. J. Quantum Chem. 29, 73 (1986)
  14. R.A. Evarestov, V.P. Smirnov. Phys. Rev. B 70, 233 101 (2004)
  15. J.S. Lin, A. Quteish, M.C. Payne, V. Heine. Phys. Rev. B 47, 4174 (1993)
  16. R. Dovesi, V.R. Saunders, C. Roetti, M. Causa, N.M. Harrison, R. Orlando, E. Apra. Crystal 95 Users Manual. Torino University, Torino (1996)
  17. P. Durand, J.C. Barthelat. Theor. Chim. Acta 38, 283 (1975)
  18. P.O. Lowdin. Adv. Quant. Chem. 5, 185 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.