Вышедшие номера
Электронно-стимулированная десорбция атомов цезия из слоев цезия, осажденных на поверхноcти вольфрама, покрытого германием
Агеев В.Н.1, Кузнецов Ю.А.1, Потехина Н.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kuznets@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 15 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

-1 Времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации измерен выход и энергораспределения атомов Cs из слоев цезия, адсорбированных на вольфраме, покрытом пленкой германия, в зависимости от энергии бомбардирующих электронов, толщины пленки германия, количества адсорбированного цезия и температуры подложки. Порог появления выхода атомов Cs составляет ~30 eV, что хорошо коррелирует с энергией ионизации уровня германия 3d. С ростом энергии электронов выход атомов Cs проходит через широкий максимум при энергии ~120 eV. В области толщин пленки германия от 0.5 до двух монослоев обнаружены резонансные пики выхода атомов Cs при энергиях электронов 50 и 80 eV, которые могут быть связаны с энергиями ионизации остовных уровней вольфрама 5p и 5s. С ростом степени покрытия цезия выход атомов Cs проходит через пологий максимум при монослойном покрытии. Энергораспределения атомов Cs имеют вид колоколообразных кривых, которые для тонких пленок германия с ростом покрытия цезия смещаются в область более высоких энергий, а для толстых пленок германия - в область низких энергий. При температуре подложки T=160 K энергораспределения атомов Cs состоят из двух колоколообразных кривых: узкой с максимумом при ~0.35 eV, связанной с возбуждением остовных уровней вольфрама, и широкой с максимумом при ~0.5 eV, связанной с возбуждением остовного уровня германия 3d. Полученные результаты можно интерпретировать на основе модели Оже-стимулированной десорбции. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17523) и Российской государственной программы "Поверхностные атомные структуры" (ГК N 1152).