Издателям
Вышедшие номера
Электронно-стимулированная десорбция атомов цезия из слоев цезия, осажденных на поверхноcти вольфрама, покрытого германием
Агеев В.Н.1, Кузнецов Ю.А.1, Потехина Н.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kuznets@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 15 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

-1 Времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации измерен выход и энергораспределения атомов Cs из слоев цезия, адсорбированных на вольфраме, покрытом пленкой германия, в зависимости от энергии бомбардирующих электронов, толщины пленки германия, количества адсорбированного цезия и температуры подложки. Порог появления выхода атомов Cs составляет ~30 eV, что хорошо коррелирует с энергией ионизации уровня германия 3d. С ростом энергии электронов выход атомов Cs проходит через широкий максимум при энергии ~120 eV. В области толщин пленки германия от 0.5 до двух монослоев обнаружены резонансные пики выхода атомов Cs при энергиях электронов 50 и 80 eV, которые могут быть связаны с энергиями ионизации остовных уровней вольфрама 5p и 5s. С ростом степени покрытия цезия выход атомов Cs проходит через пологий максимум при монослойном покрытии. Энергораспределения атомов Cs имеют вид колоколообразных кривых, которые для тонких пленок германия с ростом покрытия цезия смещаются в область более высоких энергий, а для толстых пленок германия --- в область низких энергий. При температуре подложки T=160 K энергораспределения атомов Cs состоят из двух колоколообразных кривых: узкой с максимумом при ~0.35 eV, связанной с возбуждением остовных уровней вольфрама, и широкой с максимумом при ~0.5 eV, связанной с возбуждением остовного уровня германия 3d. Полученные результаты можно интерпретировать на основе модели Оже-стимулированной десорбции. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17523) и Российской государственной программы "Поверхностные атомные структуры" (ГК N 1152).
  1. R.D. Ramsier, J.T. Yates. Surf. Sci. Rep. 12, 247 (1991)
  2. V.N. Ageev. Progr. Surf. Sci. 47, 55 (1994)
  3. Physics and chemistry of alkali metal adsorption / Eds H.P. Bonzel, A.M. Bradshaw, G. Ertl. Elsevier, Amsterdam (1989). 486 p
  4. Э.Я. Зандберг, Н.И. Ионов. Поверхностная ионизация. Наука, М. (1969). 432 с
  5. В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов, Б.В. Якшинский. ФТТ 24, 2, 349 (1982)
  6. В.Н. Агеев, О.П. Бурмистрова, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 29, 6, 1740 (1987)
  7. V.N. Ageev, O.P. Burmistrova, B.V. Yakshinskii. Surf. Sci. 194, 101 (1988)
  8. В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов, Н.Д. Потехина. ФТТ 33, 6, 1834 (1991); 35, 1, 156 (1993)
  9. V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov, N.D. Potekhina. Surf. Sci. 367, 113 (1996)
  10. В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов, Н.Д. Потехина. ФТТ 39, 8, 1491 (1997); В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 39, 4, 758 (1997)
  11. V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov, T.E. Madey. Surf. Sci. 390, 146 (1997); Phys. Rev. B 58, 2248 (1998)
  12. В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 42, 4, 759 (2000)
  13. V.N. Ageev, O.P. Burmistrova, B.V. Yakshinskii. Surf. Sci. 230, 295 (1990)
  14. Э.Ф. Чайковский, Г.М. Пятигорский, Д.Ф. Деркач. Изв. АН СССР. Сер. физ. 38, 2, 376 (1974)
  15. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха. Мир, М. (1987). С. 567
  16. R.E. Weber, W.T. Peria. Surf. Sci. 14, 13 (1969)
  17. L. Surnev, M. Tichov. Surf. Sci. 85, 413 (1979)
  18. В.Н. Агеев, О.П. Бурмистрова, Ю.А. Кузнецов. Поверхность 7, 28 (1988)
  19. E. Wimmer, A.J. Freeman, J.R. Hiskes, A.M. Karo. Phys. Rev. B 28, 3074 (1983)
  20. H. Ishida, K. Terakura. Phys. Rev. B 40, 11 519 (1989)
  21. G.K. Wertheim, D.M. Riffe, P.H. Citrin. Phys. Rev. B 49, 4834 (1994)
  22. V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov, T.E. Madey. Surf. Sci. 451, 153 (2000)
  23. V.N. Ageev, Yu.A. Kuznetsov, T.E. Madey. Surf. Sci. 528, 47 (2003)
  24. В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов. Письма в ЖТФ 29, 24, 1 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.