Вышедшие номера
Кинетика переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках
Кукушкин С.А.1, Захаров М.А.2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
Email: ksa@math.ipme.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

На основании классической теории зарождения-роста исследуется кинетика переключения одноосных сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков (СС) во внешних электрических и механических полях. Изучены стадия массовой переполяризации-передеформации и заключительная стадия (оствальдовское созревание) процесса переключения в СС с учетом изменения переполяризации и передеформации в процессе фазового превращения. Получены выражения, определяющие изменение переполяризации и передеформации с течением времени. Выведены уравнения, позволяющие рассчитывать величины тока поляризации и потока деформации, а также их изменение во времени. На примере переключения монокристаллов сегнетовой соли осуществлено сравнение основных характеристик переключения СС с экспериментальными данными. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-03-32471, 02-02-17216 и 02-02-16071), Российского центра "Интеграция" (проекты N A0151 и А0075), гранта "CONACYT" (проект N 32208), Программ "Управление нелинейными механическими системами в условиях неопределенности и хаоса" (проект N 19) и "Исследования в области естественных и гуманитарных наук. Университеты России" (проект N 990019).
  1. M. Molotskii, R. Kris, G. Rosenmann. J. Appl. Phys. 88, 9, 5318 (2000)
  2. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 1, 80 (2001)
  3. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 1, 88 (2001)
  4. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 2, 312 (2001)
  5. С.А. Кукушкин, М.А. Захаров. ФТТ 44, 2, 332 (2002)
  6. V.Ya. Shur. In: Ferroelectric Thin Films. Ferroelectricity and Related Phenomena. Vol. 10. Part 1. Gordon and Breach, Amsterdam (1996). P. 153
  7. В.Я. Шур, Е.Л. Румянцев, В.П. Куминов, А.Л. Субботин, Е.В. Николаева. ФТТ 41, 1, 126 (1999)
  8. H.M. Duiker, P.D. Beal. Phys. Rev. B41, 490 (1990)
  9. A.M. Bratkovsky, A.P. Levanyuk. Phys. Rev. Lett. 84, 3177 (2000)
  10. В.С. Бойко, Р.И. Гарбер, А.М. Косевич. Обратимая пластичность кристаллов. Наука, М. (1991). 280 с
  11. Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). 304 с
  12. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 10, 1083 (1998)
  13. И.М. Фишман. УФН 155, 2, 329 (1988)
  14. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсионные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): Механизмы образования тонких пленок. Наука, СПб (1996). 312 с
  15. Р. Лодиз, Р. Паркер. Рост монокристаллов. Мир, М. (1974). 540 с
  16. А.А. Чернов. В кн.: Современная кристаллография. Т. 3. Наука, М. (1980). С. 7
  17. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Progr. Surf. Sci. 56, 1, 1 (1996)
  18. V.V. Slezov. Phys. Rev. 17, 1 (1995)
  19. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ЖЭТФ 113, 6, 2197 (1998)
  20. I. Ishibashi, Y. Takagi. J. Phys. Soc. Jpn. 31, 506 (1971)
  21. Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965)
  22. Дж. Барфут. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Мир, М. (1979). 352 с
  23. Г.А. Смоленский, Н.Н. Крайник. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, М. (1968). 184 с
  24. C.L. Wang, L. Zhang, W.L. Zhong, P.L. Zhang. Phys. Lett. A254, 297 (1999)
  25. Н.Н. Крайник, Л.С. Камзина. ФТТ 37, 4, 999 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.