Издателям
Вышедшие номера
Релаксорные свойства и механизм проводимости gamma-облученных кристаллов TlInS2
Сардарлы Р.М.1, Самедов О.А.1, Садыхов И.Ш.1, Наджафов А.И.1, Салманов Ф.Т.1
1Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: sardarli@yahoo.com
Поступила в редакцию: 19 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

В кристалле TlInS2 определена плотность состояний уровней, связанных с радиационными дефектами, определен радиус локализации дефектного центра и длина прыжка носителей. Показано, что путем воздействия gamma-облучения можно изменить диэлектрические свойства сегнетоэлектриков и получить устойчивое релаксорное состояние. Перенос заряда в области существования этого состояния осуществляется путем туннелирования с электронных уровней в запрещенной зоне через потенциальные барьеры, обусловленные несоразмерной сверхструктурой кристалла TlInS2.
  • Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, И.Ш. Садыхов, В.А. Алиев. ФТТ 45, 6, 1067 (2003)
  • A. Sardarli, I.M. Filanovsky, R.M. Sardarli, O.A. Samedov, I.Sh. Sadigov, I.I. Aslanov. Proc. of Int. Conf. on MEMS, NANO and Smart Systems. Banff, Alberta, Canada (2003). P. 159
  • Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, И.Ш. Садыхов, А.И. Наджафов, Н.А. Эюбова, Т.С. Мамедов. Неорган. материалы 39, 4, 406 (2003)
  • Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.И. Наджафов, И.Ш. Садыхов. ФТТ 45, 6, 1085 (2003)
  • A.K. Aliev, E.Z. Aliev, B.A. Natig, R.M. Sardarly. Phys. Stat. Sol. (a) 114, 119 (1989)
  • А.У. Шелег, К.В. Иодковская, С.В. Родин, В.А. Алиев. ФТТ 39, 6, 1088 (1997)
  • D. Viehland, S.J. Jang, L.E. Cross, M. Wilting. J. Appl. Phys. 68, 6, 2916 (1990)
  • J.H.O. Varley. Nature 174, 886 (1954).
  • Р.Ф. Мамин. ФТТ 43, 7, 1262 (2001)
  • В.В. Лагута, М.Д. Глинчук, И.В. Кондакова. ФТТ 46, 7, 1224 (2004)
  • R.M. Sardarli, O.A. Samedov, I.Sh. Sadykhov. Ferroelectrics 298, 275 (2004)
  • Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир. М. (1974). 472 с
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука. М. (1979). 416 с
  • С.Н. Мустафаева. В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 1, 48 (1998)
  • С.Н. Мустафаева. ФТТ 46, 6, 979 (2004)
  • С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 4, 612 (1998)
  • С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. ФТТ 38, 1, 14 (1996)
  • V. Angelli, C. Manfredotti, R. Murri, R. Piccolo, L. Vasanelli. IL Nuovo Cimento B 38, 2, 327 (1977)
  • Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП 5, 707 (1971)
  • R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett. 22, 562 (1973)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов. Д. Бимберг. ФТП 32, 385 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.