Вышедшие номера
Диэлектрический отклик эпитаксиальных пленок Ba0.75Sr0.25TiO3 на электрическое поле и температуру
Бойков Ю.А.1, Эртс Д.2, Клаесон Т.2, Бойков А.Ю.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

Исследованы структура и диэлектрические параметры промежуточного сегнетоэлектрического слоя в гетероструктуре (001)SrRuO3|(100)Ba0.75Sr0.25TiO3|(001)SrRuO3, выращенной методом лазерного испарения на (001)La0.294Sr0.706Al0.647Ta0.353O3. Растягивающие механические напряжения обусловили преимущественную ориентацию полярной оси в сегнетоэлектрике параллельно плоскости подложки. Остаточная поляризация в слое Ba0.75Sr0.25TiO3 примерно линейно возрастала с понижением температуры в интервале 320-200 K. Реальная часть диэлектрической проницаемости промежуточного сегнетоэлектрического слоя достигала своего максимального значения varepsilon'/varepsilon0=4400 при TM~285 K (f=100 kHz). Резкий пик на температурной зависимости тангенса угла диэлектрических потерь для сегнетоэлектрического слоя Ba0.75Sr0.25TiO3 наблюдался при T<TM и сдвигался в сторону низких температур при понижении частоты и увеличении напряжения смещения, поданного на электроды. Исследования выполнены в рамках научного сотрудничества между Российской и Шведской королевской академиями наук. Финансовая поддержка работы частично осуществлялась в рамках проекта N 4Б19 Министерства науки Российской Федерации.
  1. C.S. Hwang. Mater. Sci. Eng. B56, 178 (1998)
  2. J.P. Hong, J.S. Lee. Appl. Phys. Lett. 68, 3034 (1996)
  3. J.-G. Cheng, X.-J. Meng, J. Tang, S.-L. Guo, J.-H. Chu. Appl. Phys. Lett. 75, 3402 (1999)
  4. Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
  5. B. Nagaraj, T. Sawhney, S. Perusse, S. Aggarwal, V.S. Kaushik, S. Zafar, R.E. Jones, J.-H. Lee, V. Balu, J. Lee. Appl. Phys. Lett. 74, 3194 (1999)
  6. L.J. Sinnamon, R.M. Bowman, J.M. Gregg. Appl. Phys. Lett. 78, 1724 (2001)
  7. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон. ФТТ 43, 2170 (2001)
  8. Б.М. Гольцман, Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. ФТТ 43, 874 (2001)
  9. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C336, 300 (2000)
  10. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон. ФТТ 43, 323 (2001)
  11. J.-P. Maria, H.L. McKinstry, S. Trolier-McKinstry. Appl. Phys. Lett. 76, 3382 (2000)
  12. A.D. Hilton, B.W. Rickkets. J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 1321 (1996)
  13. A. von Hippel. Rev. Mod. Phys. 22, 221 (1950)
  14. E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 3251 (1999)
  15. D. Fuchs, M. Adam, P. Schweiss, S. Gerhold, S. Schuppler, R. Schneider. J. Appl. Phys. 88, 1844 (2000)
  16. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ЖТФ 71, 10, 54 (2001)
  17. A. Seifert, F.F. Lange, L.S. Speck. J. Mater. Res. 16, 680 (1995)
  18. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Supercond. Sci. Technol. 12, 654 (1999)
  19. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 79, 2052 (2001)
  20. Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков. М.-Л. (1965). 344 с
  21. J.R. Yeargan, H.L. Taylor. J. Appl. Phys. 39 , 5600 (1968)
  22. J.-H. Lee, R. Mohammedali, J.H. Han, V. Balu, S. Gopalan, C.-H. Wong, J.-C. Lee. Appl. Phys. Lett. 75, 1455 (1999)
  23. C. Kittel. Introduction to Solid State Physics. 3rd ed. John Willey\&Sons, Inc., N. Y. (1966). P. 392
  24. W. Kleemann, H. Schremmer. Phys. Rev. B40, 7428 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.