Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2002, выпуск 10 » Статья стр. 1827
<<<>>>
Зарядовая сегрегация и неоднородное магнитное состояние при донорном и акцепторном легировании LaMnO3
Лошкарева Н.Н.1, Королев А.В.1, Арбузова Т.И.1, Солин Н.И.1, Виглин Н.А.1, Смоляк И.Б.1, Бебенин Н.Г.1, Сухоруков Ю.П.1, Наумов С.В.1, Костромитина Н.В.1, Балбашов А.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: loshkareva@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
PDF версия
При комплексном исследовании магнитных, электрических, оптических и ЭПР-свойств монокристаллов манганита LaMnO3, легированных донорами (7% at. Ce) и акцепторами (7% at. Sr), обнаружено, что во всех случаях кроме нелегированного LaMnO3 имеет место зарядовая сегрегация, связанная с крупномасштабными флуктуациями кристаллического потенциала, а магнитные свойства обусловлены наличием в матрице со скошенной магнитной структурой включений ферромагнитной фазы и локализованных ферронов. Работа поддержана грантом INTAS-97-30253 и частично проектом Российского фонда фундаментальных исследований N 00-02-17544.
  1. E.L. Nagaev. Phys. Rep. 346, 6, 388 (2001)
  2. E. Dagotto, T. Hotta, A. Moreo. Phys. Rep. 344, 1 (2001)
  3. М.Ю. Каган, К.И. Кугель. УФН 171, 6, 577 (2001)
  4. В.М. Локтев, Ю.Г. Погорелов. ФНТ 26, 3, 231 (2001)
  5. А.А. Мухин, В.Ю. Иванов, В.Д. Травкин, С.В. Лебедев, А. Пименов, А. Лоидл, А.М. Балбашов. Письма в ЖЭТФ 68, 4, 331 (1998)
  6. P. Mandal, S. Das. Phys. Rev. B56, 23, 15 073 (1997)
  7. Р.И. Зайнуллина, Н.Г. Бебенин, В.В. Машкауцан, В.В. Устинов, В.Г. Васильев, Б.В. Слободин. ФТТ 40, 11, 2085 (1998)
  8. Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, С.В. Наумов, Н.И. Солин, И.Б. Смоляк, Е.В. Панфилова. Письма в ЖЭТФ 68, 1, 89 (1998)
  9. Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Е.А. Ганьшина, Е.В. Мостовщикова, Р.Ю. Кумаритова, А.С. Москвин, Ю.Д. Панов, О.Ю. Горбенко, А.Р. Кауль. ЖЭТФ 119, 3, 1 (2001)
  10. A.M. Balbashov, S.G. Karabashev, Ya.M. Mukovskiy, S.A. Zverkov. J. Crystal Growth 167, 1--2, 365 (1996)
  11. А.Б. Давыдов, Н.И. Солин, Г.Л. Штрапенин. Дефектоскопия 8, 95 (1982)
  12. А.С. Боровик-Романов. В кн.: Антиферромагнетизм и ферриты. Физ.-мат. науки, М. (1962). С. 70
  13. Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979). 432 с
  14. И.Е. Дзялошинский. ЖЭТФ 19, 960 (1964)
  15. Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Е.В. Мостовщикова, Л.В. Номерованная, А.А. Махнев, С.В. Наумов, Е.А. Ганьшина, И.К. Родин, А.С. Москвин, А.М. Балбашов. ЖЭТФ 121, 1, 1 (2002)
  16. K. Ghosh, R.L. Greene, S.E. Lofland, S.M. Bhagat, S.G. Karabashev, D.A. Shulyatev, A.A. Arsenov, Y.M. Mukovskii. Phys. Rev. B58, 13, 8206 (1998)
  17. A. Maignan, C. Martin, F. Damay, B. Raveau, J. Hejtmanek. Phys. Rev. B58, 5, 2758 (1998)
  18. A.V. Korolyov, A.Ye. Arkhipov, V.S. Gaviko, Ya.M. Mukovskii, A.A. Arsenov, T.P. Lapina, S.D. Bader, J.S. Jiang, V. Nizhankovskii. J. Magn. Magn. Mater. 213, 63 (2000)
  19. H.L. Ju, H. Sohn. J. Magn. Magn. Mater. 167, 200 (1997)
  20. F. Conde, C. Gomez-Polo, A. Hernando. J. Magn. Magn. Mater. 138, 123 (1994)
  21. F. Moussa, M. Hennion, J. Rodriguez-Carvajal, H. Moudden, L. Pinsard, A. Revcolevchi. Phys. Rev. B54, 21, 15 149 (1996)
  22. M. Paraskevopoulos, F. Mayr, J. Hemberger, A. Loidl, R. Heichele, D. Maurer, V. Muller, A.A. Mukhin, A.M. Balbashov. J. Phys.: Condens. Matter. 12, 3993 (2000)
  23. J.-S. Zhou, J.B. Goodenough. Phys. Rev. B60, 22, R15002 (1999)
  24. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. Мир, М. (1982). С. 43
  25. A. Urushibara, Y. Moritomo, T. Arima, A. Asamitsu, G. Kudo, Y. Tokura. Phys. Rev. B51, 20, 14 103 (1995)
  26. N.N. Loshkareva, N.I. Solin, Yu.P. Sukhorukov, N.I. Lobachevskaya, E.V. Panfilova. Phys. B: Condens. Matter. 293, 390 (2001)
  27. Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Э.А. Нейфельд, В.Е. Архипов, А.В. Королев, В.С. Гавико, Е.В. Панфилова, В.П. Дякина, Я.М. Муковский, Д.А. Шулятев. ЖЭТФ 117, 2, 440 (2000)
  28. E. Granado, N.O. Moreno, A. Garcia, J.A. Sanjurjo, C. Rettori, I. Torriani, S.B. Oseroff, J.J. Neumeier, K.J. McClellan, S.-W. Cheong, Y. Tokura. Phys. Rev. B58, 17, 11 435 (1998)
  29. С.А. Альтшуллер, Б.М. Козырев. Электронный парамагнитный резонанс. Физ.-мат. лит., М. (1961). 368 с
  30. A. Shengelaya, Guo-meng Zhao, H. Keller, K.A. Muller, B.I. Kochelaev. Phys. Rev. 61, 9, 5888 (2000)
  31. V.A. Ivanshin, J. Deisenhofer, H.-A. Krug von Nidda, A. Loidl, A.A. Mukhin, A.V. Balbashov, M.V. Eremin. Phys. Rev. B61, 9, 6213 (2000)
  32. M. Hennion, частное сообщение
  33. G. Biotteau, M. Hennion, F. Moussa, J. Rodriguez-Carvajal, L. Pinsard, A. Revcolevchi, Y.M. Mukovskii, D. Shulyatev. Phys. Rev. B64, 10, 4421 (2001)
  34. M. Hennion, F. Moussa, G. Biotteau, J. Rodriguez-Carvajal, L. Pinsard, A. Revcolevchi. Phys. Rev. B61, 14, 9513 (2000)
  35. J.-S. Kang, Y.J. Kim, B.W. Lee, C.G. Olson, B.I. Min. J. Phys: Condens. Matter 13, 16, 3779 (2001)
  36. P. Sheng, B. Abeles. Phys. Rev. Lett. 28, 1, 34 (1972)
  37. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme