Исследована температурная зависимость сопротивления и эффекта Холла у нанокластерных кристаллов теллура, полученных путем заполнения пустот диэлектрической матрицы (опал) расплавом чистого и легированного Te. Обнаружено аномальное возрастание холловской концентрации дырок p_eff (более чем на два порядка) при охлаждении образца, изготовленного из чистого Te, до гелиевых температур. При T=1.45 K у этого образца p_eff=~6·10¹⁷ cm^-3. В то же время оказалось, что у этого образца при T=~200 K происходит смена знака эффекта Холла с положительного при T<200 K на отрицательный при высоких температурах. Это свидетельствует о малой концентрации примеси (N_A по крайней мере <10¹⁵ cm^-3). В случае нанокластерного кристала из легированного Te этой аномалии не неблюдается - p_eff=~6·10¹⁷ cm^-3 во всей области температур, как и в исходном Te. Обнаруженные особенности связываются с появлением при низких температурах двумерного проводящего аккумулирующего слоя в области интерфейса Te - аморфный SiO₂ (материал опала), определяющего низкотемпературные свойства нанокластерного кристалла, изготовленного из чистого Te. Фактически получена модель трехмерной структуры, образованной из двумерной пленки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 00-02-16894), МНТП ФТНС N 97-1041 и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.