Вышедшие номера
Влияние отжига на самополяризованное состояние в тонких сегнетоэлектрических пленках
Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Тараканов Е.А.1, Афанасьев В.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Показано, что в результате высокотемпературной обработки самополяризованных пленок цирконата-титаната свинца, содержащих избыток оксида свинца, и продолжительной последующей выдержки при комнатной температуре происходит перераспределение зарядов в приэлектродных областях сегнетоэлектрической пленки. Такая термообработка, как правило, приводит к исчезновению самополяризованного состояния и устранению диэлектрической неоднородности. Предложена модель тонкопленочного сегнетоэлектрического конденсатора, позволяющая описать изменение формы петель гистерезиса (P-V), вольт-емкостных характеристик (C-V), а также частотно-зависимого пироотклика (LIMM). В рамках модели обсуждается влияние интерфейса и межкристаллитных границ на появление самополяризованного состояния, его изменение и исчезновение. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17-799) и грантом Министерства образования РФ (EOO-3.4-350).
  1. A.L. Kholkin, K.G. Brooks, D.V. Taylor, S. Hiboux, N. Setter. Integr. Ferroelectrics 22, 525 (1998)
  2. R. Bruchhaus, D. Pitzer, M. Schreiter, W.J. Wersing. Electroceram. 3, 2, 151 (1999)
  3. И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Е.А. Тараканов, Т.А. Шаплыгина, В.П. Афанасьев. ФТТ 44, 4, 739 (2002)
  4. V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov, E.Yu. Kaptelov, J. Graul. J. Phys. D.: Cond. Matter 13, 39, 8755 (2001)
  5. D. Dimos, W.L. Warren, M.B. Sinclair, B.A. Tuttle, R.W. Schwartz. J. Appl. Phys. 76, 7, 4305 (1994)
  6. N.F. Foster. J. Appl. Phys. 40, 420 (1969)
  7. G. Suchaneck, R. Koehler, P. Padmini, T. Sandner, J. Frey, G. Gerlach. Surf. Coating Technol. 116-- 119, 1238 (1999)
  8. M. Adachi, T. Matsuzaki, N. Yamada, T. Shiosaki, A. Kawabata. Jpn. J. Appl. Phys. 26, 550 (1987)
  9. C.H. Choi, J. Lee. J. Phys. IV (France) 8, 109 (1998)
  10. E.G. Lee, J.K. Lee, J.-Y. Kim, J.G. Lee, H.M. Jang, S.J. Kim. J. Mater. Sci. Lett. 18, 2025 (1999)
  11. S. Okamura, S. Miyata, Y. Mizutani, T. Nishida, T. Shiosaki. Jpn. J. Appl. Phys. 38, pt I, 9B, 5364 (1999)
  12. В.П. Афанасьев, Г.Н. Мосина, А.А. Петров, И.П. Пронин, Л.М. Сорокин, Е.А. Тараканов. Письма в ЖТФ 27, 11, 56 (2001)
  13. M. Watamori, M. Isono, H. Madono, Y. Kawano., K. Sasabe, T. Hirao, K. Oura. Appl. Surf. Sci. 142, 422 (1999).
  14. M. Kobune, H. Ishito, A. Mineshige, S. Fujii, R. Kakayama, A. Tomozawa. Jpn. J. Appl. Phys. 37, pt I, 9B, 5154 (1998)
  15. S.B. Lang. Ferroelectrics 106, 269 (1990)
  16. G. Suchaneck, Th. Sandner, R. Kohler, P. Padmini, G. Gerlach, V.P. Afanasjev, E.A. Tarakanov. Proc. of Eleventh IEEE Int. Symp. on Applications of Ferroelectrics. Montreux, Sqitzerland (1998). P. 187
  17. К. Окадзаки. Технология керамических диэлектриков. Энергия, М. (1976). 336 с
  18. R.E. Jones. Solid State Technol. October, 201 (1997)
  19. R.J. Waser. Europhys. Ceram. Soc. 19, 655 (1999)
  20. J.J. Lee, C.I. Thio, M. Bhattacharya, S.B. Desu. Mat. Res. Symp. Proc. 361, 241 (1995)
  21. V.V. Prisedsky, V.I. Shishnovsky, V.V. Klimov. Ferroelectrics 17, 465 (1978)
  22. В.П. Афанасьев, Е.Ю. Каптелов, Г.П. Крамар, А.В. Панкрашкин, И.П. Пронин, А.В. Соснин. Сб. докл. 12-го Междунар. симп. "Тонкие пленки в электронике", ИПЦ "Контраст", Харьков (2001). С. 195
  23. В.И. Димза, А.Э. Круминь. Автометрия 5, 14 (1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.