Методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии исследовано изменение электронных свойств при адсорбции Cs на GaAs(100) при последовательном переходе от поверхности, обогащенной As, к поверхности, обогащенной Ga. Изучены ионизационная энергия и интегральный фотоэмиссионный ток в зависимости от Cs-покрытия. Установлено, что минимум ионизационной энергии и соответствующая доза Cs существенно различаются для обогащенной As и обогащенной Ga поверхностей GaAs(100). Впервые обнаружены аномальные кривые с двумя минимумами ионизационной энергии, которые наблюдаются для поверхностей в промежуточном состоянии с димерами Ga и с димерами As. Установлено, что коэффициент прилипания Cs на поверхности, обогащенной As, в несколько раз меньше, чем на поверхности, обогащенной Ga. Работа выполнена при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-16802 и гранта в рамках программы N 1-107 Министерства промышленности, науки и технологий РФ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.