Вышедшие номера
Прыжковый механизм переноса заряда в квазикристаллах бора и его соединений
Гудаев О.А.1, Малиновский В.К.1
1Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: malinovsky@iae.nsk.su
Поступила в редакцию: 7 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Проведен анализ большого количества экспериментальных данных по проводимости бора и высокобористых соединений в широком интервале температур. Показано, что температурную зависимость проводимости нет необходимости описывать, как это принято, суммой нескольких экспонент, соответствующих разным механизмам переноса заряда: от проводимости по нелокализованным состояниям при высоких температурах до прыжкового переноса по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми при низких температурах. В широком интервале температур проводимость подчиняется либо степенному, либо обратному аррениусовскому закону. Различие связано со структурными особенностями материалов, с глубиной пространственного потенциального рельефа и с участием или неучастием поляронов в переносе зарядов. Для ряда соединений наблюдался переход от степенной зависимости к обратному закону Аррениуса при повышении температуры. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-16697).
  1. Н. Мотт, Э Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1983). Т. 1, 2
  2. О.А. Гудаев, В.К. Малиновский. ФТТ 37, 1, 79 (1995)
  3. О.А. Гудаев, В.К. Малиновский. ФТТ 34, 2, 548 (1992)
  4. О.А. Гудаев, В.К. Малиновский. ФХС 26, 4, 522 (2000)
  5. D. Emin, G. Samara, L. Azevedo. J. Less-Comm. Met. 117, 415 (1986)
  6. C. Wood, D. Emin. Phys. Rev. B29, 8, 4582 (1984)
  7. O.A. Golikova. Phys. Stat. Sol. (a) 101, 277 (1987)
  8. О.А. Голикова. УФН 158, 4, 581 (1989)
  9. D. Emin. Phys. Today January, 55 (1987)
  10. О.А. Голикова. ФТТ 29, 9, 2869 (1987)
  11. О.А. Голикова, Н. Аманджанов, А.А. Таджиев. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук 1, 85 (1989)
  12. О.А. Голикова, С. Саматов. Бор и его полупроводниковые соединения. Фан, Ташкент (1988). 40 с
  13. J.M. Dusseau, T.P. Lepetre, J.L. Robert, B. Pistoulet. J. Less-Comm. Met. 47, 135 (1976)
  14. О.А. Голикова. ФТП 26, 9, 1604 (1992)
  15. О.А. Голикова. ФТП 34, 3, 369 (2000)
  16. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978)
  17. Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. Мир, М. (1982). 424 с
  18. H. Werheit, K.De Groot, W. Malkemper. J. Less-Comm. Met. 82, 163 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.