Свойства тонкопленочного электролюминесцентного диода на основе поли-(N-винилкарбазола), легированного Eu(DBM)3phen
Журавлев К.П.1, Яковлев Ю.О.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Московская обл., Россия
Email: kpz225@ire216.msk.su
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
Исследованы спектры излучения электролюминесценции тонкопленочных органических диодов с излучающим слоем, состоящим из поли-(N-винилкарбазола), легированного трис-комплексом европия с 1,3-дифенил-1,3-пропандионом и 1,10-фенантролином (Eu(DBM)3phen). При увеличении концентрации Eu(DBM)3phen в излучающем слое наблюдается возрастание скорости деградации электролюминесценции ячейки. Уменьшение вклада интенсивности линий излучения Eu(DBM)3phen в общий спектр ячейки со временем в процессе электролюминесценции объясняется деградацией молекул Eu(DBM)3phen при возбуждении.
- C.W. Tang, S.A. VanSlyke. Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987)
- S. Ouro Djobo, J.C. Bernede. K. Napo, Y. Guellil. Mat. Chem. Phys. 77, 476 (2002)
- Sang Keol Kim, Taek Gyun Chung, Dong Hoe Chung, Ho Sik Lee, Min Jong Song, Jong Wook Park, Joon Ung Lee, Tae Wan Kim. Opt. Mat. 21, 159 (2002)
- D. Hohnholz, S. Steinbrecher, M. Hanack. J. Mol. Struct. 521, 231 (2000)
- В.Е. Карасев, А.Г. Мирочник, И.В. Вовна. ЖНХ 33, 9, 2234 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук