Издателям
Вышедшие номера
Мелкие термодоноры в монокристаллах кремния, легированных азотом
Воронков В.В.1, Воронкова Г.И.1, Батунина А.В.1, Головина В.Н.1, Арапкина Л.В.1, Тюрина Н.Б.1, Гуляева А.С.1, Мильвидский М.Г.1
1Государственный научно-иссследовательский институт редких металлов (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
Email: icpm@mail.girmet.ru
Поступила в редакцию: 11 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Кристаллы кремния, выращенные методом Чохральского и легированные азотом, содержат мелкие термодоноры (МТД), отсутствующие в контрольных кристаллах. В процессе отжига при температурах 600 или 650oC концентрация МТД выходит на насыщение, и эта концентрация зависит от содержания азота N по закону N1/2. Данный результат указывает на то, что МТД включает в свой состав только один атом азота, и наиболее вероятной моделью МТД-дефекта является комплекс NOm межузельного атома азота и m атомов кислорода. Число m оценено по данным о температурной зависимости константы равновесия для реакции образования комплекса, в среднем m=3.
  1. M. Suezawa, K. Sumino, H. Harada, T. Abe. Jpn. J. Appl. Phys. 25, 10, L859 (1986)
  2. H. Navarro, J. Griffin, J. Wever, L. Genzel. Solid State Commun. 58, 151 (1986)
  3. J.A. Griffin, J. Hartung, J. Weber, H. Havarro, L. Genzel. Appl. Phys. A48, 1, 41 (1989)
  4. A. Hara, T. Fukuda, T. Miyabo, I. Hirai. Appl. Phys. Lett. 54, 7, 626 (1989)
  5. A. Hara, M. Aoki, M. Koizuka, T. Fukuda. J. Appl. Phys. 75, 6, 2929 (1994)
  6. D. Yang, R. Fan, L. Li, D. Que, K. Sumino. Appl. Phys. Lett. 68, 4, 487 (1996)
  7. R.C. Newman, J.C. Tucker, N.G. Semaltianos, E.C. Lightowlers, T. Gregorkiewicz, I.S. Zevenbergen, C.A.J. Amerlaan. Phys. Rev. B54, 10, R6803 (1996)
  8. R.C. Newman, M.J. Ashwin, R.E. Pritchard, J.H. Tucker. Phys. Stat. Sol. (b) 210, 519 (1998)
  9. П.М. Гринштейн, Г.В. Лазарева, Е.В. Орлова, З.А. Сальник, В.И. Фистуль. ФТП 12, 1, 68 (1978)
  10. A. Kanamori, M. Kanamori. J. Appl. Phys. 50, 12, 8095 (1979)
  11. D. Yang, R. Fan, L. Li, D. Que, K. Sumino. J. Appl. Phys. 80, 3, 1493 (1996)
  12. Y. Yatsurugi, N. Akijama, Y. Endo, T. Nozaki. J. Electrochem. Soc. 120, 7, 975 (1973)
  13. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. Мир, М. (1964). С. 392
  14. H.J. Stein. MRS Proc. 59, 523 (1986)
  15. T. Abe, H. Harada, N. Ozawa, K. Adomi. MRS Proc. 59, 537 (1986)
  16. F.B. Rasmussen, S. Oberg, R. Jones, C. Ewels, J. Goss, J. Miro, P. Deak. Mater. Sci. Eng. B36, 91 (1996)
  17. T. Ito, T. Abe. Appl. Phys. Lett. 53, 1, 39 (1988)
  18. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972). С. 384
  19. H. Sawada, K. Kawakami. Phys. Rev. B62, 3, 1851 (2000)
  20. H. Kageshima, A. Taguchi, K. Wada. Appl. Phys. Lett. 76, 25, 3718 (2000)
  21. G.P. Ewels, R. Jones, S. Oberg, J. Miro, P. Deak. Phys. Rev. Lett. 77, 5, 865 (1996)
  22. P. Wagner, R. Oeder, W. Zulehner. Appl. Phys. A46, 1, 73 (1988)
  23. J. Mikkelsen. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 59, 19 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.