Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зарядовое состояние примеси переходного металла в полупроводниках AIIBVI
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
2Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
2Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
Email: lukoyanov@optics.imp.uran.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
Обсуждаются результаты расчетов электронной структуры полупроводниковых соединений AIIB^VI : 3d (A=Zn; B=S, Se, Te; 3d=Sc-Cu) с малым содержанием 3d-примеси. Избыточный заряд примесного иона по сравнению с зарядом иона Zn определен для всего ряда 3d-примесей. Обнаружено гладкое изменение избыточного заряда от +0.6|e| для Sc до -0.2|e| для примеси Cu. Фотоионизация примесного иона моделировалась добавлением одной дырки или электрона к примесному центру. При этом добавленный заряд перераспределился между примесным ионом и ближайшими соседями, уменьшив или увеличив общий избыточный заряд примесного центра на величину ~0.2|e|. Работа частично поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований (N 04-02-96094-Р2004урал_а и 04-02-16096) и РФФИ-ГФЕН-03-02-39024а, грантом президента РФ для молодых ученых МК-95.2003.02, грантом фонда "Династия" и программой международного центра фундаментальной физики (Москва) для молодых ученых 2004 г., а также программой фонда содействия отечественной науке для молодых кандидатов наук РАН 2004 г.
- L.A. Kikoin, V.N. Fleurov. Transition Metal Impurities in Semiconductors (Electronic Structure and Physical Properties). Singapore, World Scientific (1994)
- I. Zutic, J. Fabian, S.D. Sarma. Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004)
- V.I. Sokolov. Semiconductors 28, 329 (1994)
- В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, И.А. Фарина. ФТТ 45, 9, 1560 (2003)
- В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, Е.А. Широков, А.И. Кислов. ФТТ 44, 1, 33 (2002)
- В.И. Соколов, А.Т. Лончаков. Письма в ЖЭТФ 73, 12, 708 (2001)
- V.I. Sokolov, S.E. Dubinin, S.G. Teploukhov, V.D. Parkhomenko, A.T. Lanchakov, V.V. Gudkov, A.V. Tkach, I.V. Zhevstovskikh, N.B. Gruzdev. Solid State Commun. 129, 8, 507 (2004)
- P. Hohenberg, W. Kohn. Phys. Rev. 136, 3B, B864 (1964)
- R.O. Jones, O. Gunnarsson. Rev. Mod. Phys. 61, 689 (1989)
- O. Gunnarson, K. Schonhammer. Phys. Rev. Lett. 56, 18, 1968 (1986)
- O.K. Andersen. Phys. Rev. B 12, 8, 3060 (1975)
- M. Oshikiri, F. Aryasetiawan. Phys. Rev. B 60, 15, 10 754 (1999)
- K. Ueda, H. Tabata, T. Kawai. Appl. Phys. Lett. 79, 7, 988 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
