Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зарядовое состояние примеси переходного металла в полупроводниках AIIBVI
Лукоянов А.В.1,2, Некрасов И.А.1, Соколов В.И.1, Анисимов В.И.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
2Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
2Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
Email: lukoyanov@optics.imp.uran.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
Обсуждаются результаты расчетов электронной структуры полупроводниковых соединений AIIB^VI : 3d (A=Zn; B=S, Se, Te; 3d=Sc-Cu) с малым содержанием 3d-примеси. Избыточный заряд примесного иона по сравнению с зарядом иона Zn определен для всего ряда 3d-примесей. Обнаружено гладкое изменение избыточного заряда от +0.6|e| для Sc до -0.2|e| для примеси Cu. Фотоионизация примесного иона моделировалась добавлением одной дырки или электрона к примесному центру. При этом добавленный заряд перераспределился между примесным ионом и ближайшими соседями, уменьшив или увеличив общий избыточный заряд примесного центра на величину ~0.2|e|. Работа частично поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований (N 04-02-96094-Р2004урал_а и 04-02-16096) и РФФИ-ГФЕН-03-02-39024а, грантом президента РФ для молодых ученых МК-95.2003.02, грантом фонда "Династия" и программой международного центра фундаментальной физики (Москва) для молодых ученых 2004 г., а также программой фонда содействия отечественной науке для молодых кандидатов наук РАН 2004 г.
- L.A. Kikoin, V.N. Fleurov. Transition Metal Impurities in Semiconductors (Electronic Structure and Physical Properties). Singapore, World Scientific (1994)
- I. Zutic, J. Fabian, S.D. Sarma. Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004)
- V.I. Sokolov. Semiconductors 28, 329 (1994)
- В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, И.А. Фарина. ФТТ 45, 9, 1560 (2003)
- В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, Е.А. Широков, А.И. Кислов. ФТТ 44, 1, 33 (2002)
- В.И. Соколов, А.Т. Лончаков. Письма в ЖЭТФ 73, 12, 708 (2001)
- V.I. Sokolov, S.E. Dubinin, S.G. Teploukhov, V.D. Parkhomenko, A.T. Lanchakov, V.V. Gudkov, A.V. Tkach, I.V. Zhevstovskikh, N.B. Gruzdev. Solid State Commun. 129, 8, 507 (2004)
- P. Hohenberg, W. Kohn. Phys. Rev. 136, 3B, B864 (1964)
- R.O. Jones, O. Gunnarsson. Rev. Mod. Phys. 61, 689 (1989)
- O. Gunnarson, K. Schonhammer. Phys. Rev. Lett. 56, 18, 1968 (1986)
- O.K. Andersen. Phys. Rev. B 12, 8, 3060 (1975)
- M. Oshikiri, F. Aryasetiawan. Phys. Rev. B 60, 15, 10 754 (1999)
- K. Ueda, H. Tabata, T. Kawai. Appl. Phys. Lett. 79, 7, 988 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
