Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость электросопротивления и отрицательное магнетосопротивление углеродных наночастиц
Романенко А.И.1,2, Аникеева О.Б.1,3, Окотруб А.В.1, Булушева Л.Г.1, Кузнецов В.Л.4, Бутенко Ю.В.4, Чувилин А.Л.4, Dong C.5, Ni Y.5
1Институт неорганической химии Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
5National Laboratory for Superconductivity, Institute of Physics, Chinese Academy of Science, Beijing, China
Email: romanenk@casper.che.nsk.su
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Исследованы температурные зависимости электросопротивления образцов углеродных наночастиц, полученных из мелкодисперсного алмаза отжигом при температурах 1800, 1900 и 2140 K. Измерено магнетосопротивление этих образцов при температуре 4.5 K. Из данных по положительному магнетосопротивлению в полях выше 3 T сделана оценка длины свободного пробега l носителей тока при температуре жидкого гелия: l~ 12 Angstrem для образца, отожженного при 1800 K, l~ 80 Angstrem для образца, отожженного при 1900 K и l~ 18 Angstrem для образца, отожженного при 2140 K. В образцах, отожженных при температуре 1800 и 2140 K, в полях ниже 2 T наблюдается отрицательное магнетосопротивление. Оценка концентрации носителей тока n из данных по отрицательному магнетосопротивлению дает: n~ 8· 1021 cm-3 для образца, отожженного при 1800 K; n~ 3· 1021 cm-3 для образца, отожженного при 2140 K. Работа поддержана Российской научно-технической программой "Фулерены и атомные кластеры" (грант N 5-1-98), Федеральной программой "Интеграция" (грант К0042). Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-17987 и 01-02-06500), Министерством образования России (грант N E00-3.4-506), Междисциплинарной интеграционной программой СО РАН (грант N 061), ИНТАС (гранты N 97-170 и 00-237).
  1. А.С. Котосонов. Письма в ЖЭТФ 43, 1, 30 (1986)
  2. А.С. Котосонов. ЖЭТФ 93, 5(11), 1870 (1987)
  3. А.С. Котосонов. ФТТ 33, 9, 2616 (1991)
  4. A.S. Kotosonov, S.V. Kuvshinnikov. Phis. Lett. A230, 377 (1997)
  5. A.S. Kotosonov, D.V. Shilo. Carbon 36, 1649 (1998)
  6. А.С. Котосонов. Письма в ЖЭТФ 70, 468 (1999)
  7. А.С. Котосонов, В.В. Атражев. Письма в ЖЭТФ 72, 2, 76 (2000)
  8. Н. Мотт, Ф. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Пер. с анл. Мир, М. (1982)
  9. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)
  10. А.А. Абрикосов. Основы теории металлов. Наука, М. (1987)
  11. Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, Д.Е. Хмельницкий. Письма в ЖЭТФ 36, 5, 157 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.