Вышедшие номера
Процессы медленной поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках
Гладкий В.В.1, Кириков В.А.1, Волк Т.Р.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: glad@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Рассмотрены общие закономерности медленной кинетики поляризации релаксорных сегнетоэлектриков, обнаруженные и исследованные нами на примере кристаллов твердых растворов ниобата бария-стронция (SBN) различных составов и магнониобата свинца (PMN). Петли диэлектрического гистерезиса и спектры распределения времени релаксации поляризации в квазистатических и постоянных электрических полях проявляют характерные аномалии, связанные со случайным внутренним электрическим полем в объеме релаксорного сегнетоэлектрика. Такое поле, обусловленное структурным разупорядочением, является причиной аномально широкого спектра потенциальных барьеров для доменных стенок. Показана роль свободных носителей электрического заряда в формировании гигантских барьеров. Представлены некоторые количественные данные, характеризующие специфику струкуры и физических свойств релаксоров. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17303 и 00-02-16624).
  1. Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). С. 355
  2. М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). С. 316
  3. L.E. Cross. Ferroelectrics 76, 241 (1987)
  4. R.R. Neurgaonkar, J.R. Oliver, W.K. Cory, L.E. Cross, D. Viehland. Ferroelectrics 160, 265 (1994)
  5. Т.Р. Волк, В.Ю. Салобутин, Л.И. Ивлева, Н.М. Полозков, Р. Панкрат. ФТТ 42, 11, 2066 (2000)
  6. S. Kawai, T. Ogawa, H.S. Lee, R.C. DeMattei, R.S. Feigelson. Appl. Phys. Letts. 73, 6, 768 (1998)
  7. А.А. Каминский, Х. Гарсия-Золе, С.Н. Багаев, Д. Хаке, Х. Кампани. Квантовая электроника 25, 12, 1059 (1998)
  8. J.J. Romero, D. Jaque, J. Garcia Sole, A.A. Kaminskii. Appl. Phys. Letts. 78. 14, 1961 (2001)
  9. Н.Н. Крайник, Л.С. Камзина. ФТТ 34, 5, 999 (1992)
  10. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. Письма в ЖЭТФ 71, 1, 328 (2000)
  11. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. ФТТ 42, 7, 1296 (2000)
  12. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. ЖЭТФ 120, 8, 1 (2001)
  13. P.B. Jamieson, S.C. Abrahams, J.L. Bernstein. J. Chem. Phys. 48, 5048 (1968)
  14. Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, М. (1982). С. 400
  15. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Е.С. Иванова. ФТТ 39, 11, 2046 (1997)
  16. Z.-G. Ye, H. Schmid. Ferroelectrics 145, 83 (1993)
  17. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.В. Пронина, Т.Р. Волк, Р. Панкрат, М. Велеке. ФТТ 43, 11, 000 (2001)
  18. A.S. Bhalla, R. Guo, L.E. Cross, G. Burns, F.H. Dacol, R.R. Neurgaonkar. Phys. Rev. B36, 4, 2030 (1997)
  19. В.И. Диткин, А.П. Прудников. Справочник по операционному исчислению. Высш. шк., М. (1965). С. 466
  20. F. Allberici, P. Doussineau, A. Levelut. J. Phys. I France 7, 2, 329 (1997)
  21. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, С.В. Нехлюдов. ФТТ 41, 3, 499 (1999)
  22. В.В. Гладкий, В.А. Кириков. ФТТ 43, 1, 111 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.