Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Процессы медленной поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия 
Email: glad@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
Рассмотрены общие закономерности медленной кинетики поляризации релаксорных сегнетоэлектриков, обнаруженные и исследованные нами на примере кристаллов твердых растворов ниобата бария-стронция (SBN) различных составов и магнониобата свинца (PMN). Петли диэлектрического гистерезиса и спектры распределения времени релаксации поляризации в квазистатических и постоянных электрических полях проявляют характерные аномалии, связанные со случайным внутренним электрическим полем в объеме релаксорного сегнетоэлектрика. Такое поле, обусловленное структурным разупорядочением, является причиной аномально широкого спектра потенциальных барьеров для доменных стенок. Показана роль свободных носителей электрического заряда в формировании гигантских барьеров. Представлены некоторые количественные данные, характеризующие специфику струкуры и физических свойств релаксоров. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17303 и 00-02-16624).
- Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). С. 355
- М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). С. 316
- L.E. Cross. Ferroelectrics 76, 241 (1987)
- R.R. Neurgaonkar, J.R. Oliver, W.K. Cory, L.E. Cross, D. Viehland. Ferroelectrics 160, 265 (1994)
- Т.Р. Волк, В.Ю. Салобутин, Л.И. Ивлева, Н.М. Полозков, Р. Панкрат. ФТТ 42, 11, 2066 (2000)
- S. Kawai, T. Ogawa, H.S. Lee, R.C. DeMattei, R.S. Feigelson. Appl. Phys. Letts. 73, 6, 768 (1998)
- А.А. Каминский, Х. Гарсия-Золе, С.Н. Багаев, Д. Хаке, Х. Кампани. Квантовая электроника 25, 12, 1059 (1998)
- J.J. Romero, D. Jaque, J. Garcia Sole, A.A. Kaminskii. Appl. Phys. Letts. 78. 14, 1961 (2001)
- Н.Н. Крайник, Л.С. Камзина. ФТТ 34, 5, 999 (1992)
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. Письма в ЖЭТФ 71, 1, 328 (2000)
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. ФТТ 42, 7, 1296 (2000)
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. ЖЭТФ 120, 8, 1 (2001)
- P.B. Jamieson, S.C. Abrahams, J.L. Bernstein. J. Chem. Phys. 48, 5048 (1968)
- Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, М. (1982). С. 400
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Е.С. Иванова. ФТТ 39, 11, 2046 (1997)
- Z.-G. Ye, H. Schmid. Ferroelectrics 145, 83 (1993)
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.В. Пронина, Т.Р. Волк, Р. Панкрат, М. Велеке. ФТТ 43, 11, 000 (2001)
- A.S. Bhalla, R. Guo, L.E. Cross, G. Burns, F.H. Dacol, R.R. Neurgaonkar. Phys. Rev. B36, 4, 2030 (1997)
- В.И. Диткин, А.П. Прудников. Справочник по операционному исчислению. Высш. шк., М. (1965). С. 466
- F. Allberici, P. Doussineau, A. Levelut. J. Phys. I France 7, 2, 329 (1997)
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, С.В. Нехлюдов. ФТТ 41, 3, 499 (1999)
- В.В. Гладкий, В.А. Кириков. ФТТ 43, 1, 111 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
