Издателям
Вышедшие номера
Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью
Сидоркин А.А.1, Сидоркин А.С.1, Рогазинская О.В.1, Миловидова С.Д.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: sidorkin@dom.vsu.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Экспериментально зарегистрированна термостимулированная эмиссия электронов в сегнетоэлектрическом кристалле ТГС в температурной области, превышающей точку Кюри на 10--15 K. Исследованы случаи различной скорости q=dT/dt линейного нагрева образцов номинально чистого кристалла ТГС и кристалла ТГС с примесью хрома. Показано, что увеличение скорости нагрева приводит к возрастанию плотности эмиссионного тока во всей исследуемой области температур. Температура возникновения эмиссии зависит от скорости q незначительно. В то же время температура исчезновения эмиссии монотонно увеличивается с ростом q. При q меньше 1 K/min она локализована ниже точки Кюри. При q=4-5 K/min указанная температура достигает 60-65oC, т. е. превышает точку Кюри больше чем на 15 градусов. В кристалле ТГС с примесью хрома температура возникновения эмиссии близка к случаю чистого ТГС. При этом интервал затягивания эмиссии в парафазу здесь примерно в 2 раза меньше, чем для случая чистого ТГС, нагреваемого с той же скоростью. Исчезновение эмиссии ниже точки Кюри в сегнетоэлектрической фазе при малых q объясняется полным освобождением электронных ловушек при медленном нагревании. Появление эмиссии при температурах выше точки Кюри связывается с сохранением в парафазе в результате медленной релаксации исходного фактора, вызывающего эмиссию, --- зарядов, экранирующих спонтанную поляризацию. Работа выполнена при поддержке гранта Нидерландской организации по научным исследованиям (NWO) "Nonlinear Dielectric Films for Nanotechnology" и гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-16828.
  1. А.С. Сидоркин, А.М. Косцов, В.С. Зальцберг. ФТТ 27, 7, 2200 (1985)
  2. А.М. Косцов, А.С. Сидоркин, В.С. Зальцберг, С.П. Грибков. ФТТ 24, 3436 (1982)
  3. А.А. Сидоркин, С.Д. Миловидова, О.В. Рогазинская, А.С. Сидоркин. ФТТ 42, 4, 725 (2000)
  4. А.С. Сидоркин, О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова, Н.Ю. Пономарева, А.А. Сидоркин. Изв. РАН. Сер. физ. 64, 9, 1763 (2000)
  5. М.С. Цедрик. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Наука и техника, Минск (1986). 216 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.