Экспериментально зарегистрированна термостимулированная эмиссия электронов в сегнетоэлектрическом кристалле ТГС в температурной области, превышающей точку Кюри на 10-15 K. Исследованы случаи различной скорости q=dT/dt линейного нагрева образцов номинально чистого кристалла ТГС и кристалла ТГС с примесью хрома. Показано, что увеличение скорости нагрева приводит к возрастанию плотности эмиссионного тока во всей исследуемой области температур. Температура возникновения эмиссии зависит от скорости q незначительно. В то же время температура исчезновения эмиссии монотонно увеличивается с ростом q. При q меньше 1 K/min она локализована ниже точки Кюри. При q=4-5 K/min указанная температура достигает 60-65^oC, т. е. превышает точку Кюри больше чем на 15 градусов. В кристалле ТГС с примесью хрома температура возникновения эмиссии близка к случаю чистого ТГС. При этом интервал затягивания эмиссии в парафазу здесь примерно в 2 раза меньше, чем для случая чистого ТГС, нагреваемого с той же скоростью. Исчезновение эмиссии ниже точки Кюри в сегнетоэлектрической фазе при малых q объясняется полным освобождением электронных ловушек при медленном нагревании. Появление эмиссии при температурах выше точки Кюри связывается с сохранением в парафазе в результате медленной релаксации исходного фактора, вызывающего эмиссию, - зарядов, экранирующих спонтанную поляризацию. Работа выполнена при поддержке гранта Нидерландской организации по научным исследованиям (NWO) "Nonlinear Dielectric Films for Nanotechnology" и гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-16828.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.