Издателям
Вышедшие номера
Магнитоиндуцированный валентный переход в EuNi2(Si1-xGex)2 в полях до 500 T
Платонов В.В.1, Таценко О.М.1, Селемир В.Д.1, Шига М.2
1Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
2Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto 606-01, Japan
Email: Platonov@ntc.vniief.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Измерены критические поля индуцированного магнитным полем валентного перехода в соединении EuNi2(Si1-xGex)2 в области промежуточной валентности с x=0.5-0.75. Магнитоиндуцированный валентный переход наблюдался в области низких концентраций вплоть до x=0.5. Показано, что величина критического поля линейно увеличивается с уменьшением концентрации германия. Работа выполнена при поддержке Министерства по атомной энергии РФ.
  • H. Wada, A. Nakamura, A. Mitsuda, M. Shida, T. Tanaka, H. Mitamura, T. Goto. J. Phys: Condens. Matter 9, 7913 (1997)
  • E.V. Sampathkumaran, L.C. Gupta, R. Vjiayaraghavan, K.V. Gopalakrishnan, R.G. Pillay, H.G. Devare. J. Phys. C: Solid State Phys. 14, L237 (1981)
  • А.И. Павловский, Р.З. Людаев. В сб.: Вопросы современной экспериментальной науки и техники / Под ред. А.П. Александрова. Наука, Л. (1984). С. 206
  • A. Mitsuda, H. Wada, M. Shiga, H.A. Katori, T. Goto. Phys. Rev. B55, 12 474 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.