Вышедшие номера
Особенности анионного переноса в кристаллах HoF3 при высоких температурах
Сорокин Н.И.1, Соболев Б.П.1, Брайтер М.2
1Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
2Технический университет, Вена, Австрия
Поступила в редакцию: 14 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Проведены в широком интервале температур (323-1073 K) исследования анионной проводимости кристаллов HoF3 со структурой типа beta-YF3 (ромбическая сингония, пр. гр. Pnma). Параметры решетки кристаллов HoF3 a=0.6384±0.0009, b=0.6844±0.0009 и c=0.4356±0.0005 nm. Обнаружено, что во всем изученном интервале температур анизотропия проводимости в кристаллах HoF3 незначительна. В области Tc~ 620 K происходит смена механизма ионного переноса. Энтальпия активации электропроводности Delta H1=0.744 eV при T<Tc и Delta H2=0.43 eV при T>Tc. Наиболее вероятными носителями заряда в кристаллах HoF3 являются вакансии фтора. Фтор-ионная проводимость равна 5x10-10 (323 K), 5x10-6 (500 K) и 2x10-3 S/cm (1073 K). Работа поддержана Австрийским фондом им. Л. Майтнер (проект N M00231-CHE).