Издателям
Вышедшие номера
Сила осцилляторов электронных центров окраски в монокристаллах KCl, облученных электронами и протонами
Михайлов М.М.1, Ардышев В.М.1, Беляков М.В.1
1Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 16 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Исследованы спектры поглощения монокристаллов KCl, облученных электронами и протонами с энергией 15 и 100 keV потоком 5·1012-1015 cm-2. В спектрах выделены элементарные полосы поглощения, обусловленные простыми (F-, Fa-, K-) и сложными (M-, R2-, R4-, N-) центрами окраски. Установлены корреляционные зависимости коэффициента поглощения M-, R2-, R4-центров от коэффициента поглощения F-центров и коэффициента поглощения R2-, R4-центров от коэффициента поглощения M-центров. Рассчитана сила осцилляторов M-, R2- и R4-центров окраски.
  1. М.М. Михайлов. Прогнозирование оптической деградации терморегулирующих покрытий космических аппаратов. Наука, Новосибирск (1999). 192 с
  2. М.М. Михайлов, В.М. Ардышев. ФТТ 40, 11, 2015 (1998)
  3. М.М. Михайлов, В.М. Ардышев, М.В. Беляков. ФХОМ 5, 31 (1998)
  4. М.М. Михайлов, В.М. Ардышев. ФХОМ 3, 9 (1999)
  5. Л.Г. Косицин, М.М. Михайлов, Н.Я. Кузнецов. ПТЭ 4, 176 (1985)
  6. И.А. Парфианович, Э.Э. Пензина. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Вост.-Сиб. кн. изд-во, Иркутск (1977). 208 с
  7. А.А. Воробьев. Центры окраски в ЩГК. Изд-во ТГУ, Томск (1968). 387 с
  8. В.М. Лисицин. Образование и релаксация первичной дефектности в ионных кристаллах. Известия ТПУ (Томск) 303, 2, 7 (2000)
  9. C.Z. Van Doorn. Phys. Rev. Lett. 3, 236 (1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.