На высококачественных монокристаллах Sb₂Te₃, выращенных по методу Чохральского, в интервале 77-420 K измерены температурные зависимости следующих компонент кинетических коэффициентов: электропроводности в плоскости скола sigma₁₁, Зеебека S₁₁ и S₃₃ (ось 3 - направление тригональной оси кристалла), Холла R₁₂₃ и R₃₂₁ и Нернста-Эттингсгаузена Q₁₂₃. Проведен анализ полученных результатов с использованием феноменологической теории. Показано, что основные особенности экспериментальных данных, включая данные по анизотропии эффектов Зеебека и Холла, можно объяснить в рамках двухзонной модели с заметно различающейся анизотропией подвижности дырок первого и второго сорта в направлениях плоскости скола и тригональной оси. Сделаны оценки ширины запрещенной зоны (varepsilon_g=~ 0.3 eV), а также энергетического зазора между основным и дополнительным экстремумами валентной зоны (Deltavarepsilon_v~ 0.1 eV).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.