Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vlad.krivol@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
На основании анализа эволюции времяразрешенных спектров фотолюминесценции впервые удалось экспериментально наблюдать коррелированное влияние встроенных электрических полей и долгоживущих локализованных состояний на формирование излучения в квантовых ямах на основе нитридов III группы. Показано, что исследование времяразрешенных спектров фотолюминесценции позволяет классифицировать светодиодные структуры для их использования в коммерческих целях. Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры".
- А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Н.М. Шмидт, Е.Е. Заварин, А.С. Усиков, Н.Н. Зиновьев, М.Н. Ткачук. ФТП 36, 6, 679 (2002)
- X.A. Cao, S.F. Leboeuf, L.B. Rowland. Appl. Phys. Lett. 82, 21, 3614 (2003)
- F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B 56, 16, R 10 024 (1997)
- В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин. ФТП 38, 8, 897 (2004)
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ 46, 12, 2129 (2004)
- А.В. Акимов, А.А. Каплянский, В.В. Криволапчук, Е.С. Москаленко. Письма с ЖЭТФ 46, 35 (1987)
- Y. Narakawa, Y. Kawakami, S. Fujinita, Sh. Fujinita, S. Nakamura. Phys. Rev. B 55, 4, R 1938 (1997)
- S. Kalliakos, P. Lefebvre, T. Taliercio. Phys. Rev. B 67, 105 307 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
