Вышедшие номера
Исследование структурных свойств и токового транспорта в нанокомпозите, сформированном на поверхности кремния посредством окисления пористого слоя
Сорокин Л.М.1, Григорьев Л.В.2, Калмыков А.Е.1, Соколов В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: aekalm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Показана принципиальная возможность создания нанокомпозитного слоя Si-SiO2 путем окисления пористого кремния. Полученный при этом нанокомпозит состоит из оксида кремния с включениями кристаллического кремния в виде округлых частиц с размером в интервале 5-30 nm и нитевидной сетчатой структуры с толщиной нитей порядка нескольких нанометров. Измерены ВАХ полученных структур для различных случаев возбуждения образца (фото- и термостимуляция). Оценены величины концентрации ловушек и эффективной подвижности носителей. Выявлено наличие сильного захвата носителей заряда на ловушки, обусловленные развитым интерфейсом в структуре композита. Работа выполнена при поддержке программы ОФH РАН "Новые материалы и структуры".
  1. А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Нанокристаллические материалы. Физматлит, М. (2001). 224 с
  2. М.С. Аблова, М.В. Заморянская, В.И. Соколов, Р.И. Хасанов. Письма в ЖТФ 29, 11, 41 (2003)
  3. B. Dac, S.P. McGinnis. Semicond. Sci. Technol. 14, 998 (1999)
  4. L.A. Balagurov, S.C. Bauliss, A.F. Orlov, B. Unal, D.G. Yarkin. Abstracts. Int. Conf. "Porous Semiconductors: Science and Technology". Madrid (2000). P. 53
  5. A.G. Gullis, L.T. Ganam, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys. 82, 909 (1997)
  6. D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, F. Koch. Phys. Stat. Sol. (b) 215, 871 (1999)
  7. T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B 45, 8989 (1992)
  8. O. Bisi, S. Ossicicni, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep. 38, 1 (2000)
  9. X.L. Wu, S.J. Xiong, D.L. Fan, Y. Gu, X.M. Bao, B.B. Sui, M.J. Stokes. Phys. Rev. B 62, 12, R 7759 (2000)
  10. M. Ballucani, V. Bondarenko, G. Lamedica, V.A. Yakovleva, A. Ferrari. Appl. Phys. Lett. 74, 1960 (1999)
  11. M. Stewart, E.G. Robins, T.W. Geders, M.J. Allen, H.Ch Choi, J.M. Buriak. Abstracts. Int. Conf. "Porous Semiconductors: Science and Technology". Madrid (2000). P. 31
  12. D. Dimova-Malinovska. J. Lumin. 80, 207 (1999)
  13. Г.И. Сканави. Физика диэлектриков. Физматлит, М. (1958). Т. 2. 907 с
  14. B.E. Deal, E.H. Snow, C.A. Mead. J. Phys. Chem. Sol. 27, 11/12, 1873 (1966)
  15. A.M. Goodman. Phys. Rev. 114, 2, 588 (1966)
  16. А.П. Барабан, П.П. Коноров, А.А. Кручинин. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 7, 31 (1985)
  17. R.M. Hill. Phyl. Mag. 24, 192, 1307 (1971)
  18. В.Ф. Корзо, В.Н. Черняев. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. Энрегия, М. (1977). 367 с
  19. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 413 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.