Проанализированы температурные зависимости удельного сопротивления цепочечного полупроводника TlInTe₂ в направлении цепочек и перпендикулярно им. Показано, что в рассмотренном температурном интервале на обеих зависимостях можно выделить два участка: в высокотемпературной области доминирует проводимость термовозбужденных примесных носителей заряда по разрешенной зоне, а в более низкой области температур проводимость осуществляется посредством прыжков носителей заряда по локализованным состояниям, лежащим в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми. Определена энергия активации примесной проводимости. Оценены радиусы локализации и плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми, разброс по энергии этих состояний, средние расстояния прыжков носителей заряда при различных температурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.