Изложены представления о механизме электрического пробоя твердых диэлектриков (ЭПТД), сформированные авторами в течение многолетних исследований. Показано, что при ЭПТД протекает ряд взаимообусловленных предпробивных процессов: высоковольтная поляризация, дефектообразование, ударное возбуждение и ударная ионизация электронами центров свечения и ионов основной кристаллической решетки и др. Спусковым механизмом ЭПДТ являются процессы электро- и термополевой генерации дефектов в кристалле, которые ведут к образованию дефектных областей и созданию каналов облегченного переноса носителей заряда. Электронные токи (а также ускорение электронов электрическим полем до энергий, достаточных для ударной ионизации) протекают именно в этих областях кристалла с деформированной дефектами кристаллической решеткой. Поэтому известные подходы к построению теории пробоя ЩГК и других твердых кристаллических диэлектриков, базирующиеся на анализе движения и ускорения электронов в идеальной кристаллической структуре твердого тела, представляются некорректными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.