Издателям
Вышедшие номера
Электрический пробой твердых диэлектриков
Воробьев Г.А.1, Еханин С.Г.1, Несмелов Н.С.1
1Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
Email: gemma@main.tusur.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Изложены представления о механизме электрического пробоя твердых диэлектриков (ЭПТД), сформированные авторами в течение многолетних исследований. Показано, что при ЭПТД протекает ряд взаимообусловленных предпробивных процессов: высоковольтная поляризация, дефектообразование, ударное возбуждение и ударная ионизация электронами центров свечения и ионов основной кристаллической решетки и др. Спусковым механизмом ЭПДТ являются процессы электро- и термополевой генерации дефектов в кристалле, которые ведут к образованию дефектных областей и созданию каналов облегченного переноса носителей заряда. Электронные токи (а также ускорение электронов электрическим полем до энергий, достаточных для ударной ионизации) протекают именно в этих областях кристалла с деформированной дефектами кристаллической решеткой. Поэтому известные подходы к построению теории пробоя ЩГК и других твердых кристаллических диэлектриков, базирующиеся на анализе движения и ускорения электронов в идеальной кристаллической структуре твердого тела, представляются некорректными.
  1. В. Франц. Пробой диэлектриков. ИЛ, М. (1961). 207 с
  2. Г.И. Сканави. Физика диэлектриков (область сильных полей). ГИФМЛ, М. (1958). 907 с
  3. А.А. Воробьев, Г.А. Воробьев. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. Высш. шк., М. (1966). 224 с
  4. А.П. Александров, А.Ф. Иоффе. ЖТФ 3, 1, 32 (1933)
  5. А.П. Александров, А.М. Золотарева. ЖТФ 4, 429 (1934)
  6. А.Ф. Вальтер, Л.Д. Инге. Электричество 6, 83 (1930)
  7. L.D. Inge, A.F. Valter. Z. Phys. 64, 830 (1930)
  8. A. Hippel. Z. Phys. 67, 707 (1931)
  9. A. Hippel. Z. Phys. 68, 309 (1931)
  10. A. Hippel. Naturwissenschaft 14, 79 (1935)
  11. А.А. Воробьев, А.К. Красин. ЖТФ 7, 15 (1937)
  12. A. Hippel, R.S. Alger. Phys. Rev. 76, 127 (1949)
  13. Г.А. Воробьев, И.С. Пикалова. ПТЭ 1, 198 (1967)
  14. И.С. Пикалова. Автореф. канд. дис. ТГУ, Томск (1968)
  15. Г.А. Воробьев, С.Г. Еханин, Н.С. Несмелов. Изв. вузов. Физика 8, 26 (2000)
  16. Г.А. Воробьев, С.Г. Еханин, М.М. Милюшина, Н.С. Несмелов. ФТТ 15, 2545 (1973)
  17. Н.И. Лебедев, Н.С. Несмелов. ФТТ 14, 1282 (1972)
  18. С.Г. Еханин, Н.С. Несмелов, Е.В. Нефедцев. Кристаллография 35, 1, 237 (1990)
  19. С.Г. Еханин, Н.С. Несмелов, Е.В. Нефедцев. Изв. вузов. Физика 3, 105 (1990)
  20. А.А. Воробьев. Заряженные точечные и линейные дефекты в ионных кристаллах и их перемещения во внешних полях. Томск (1981). Т. 2. 239 с. Деп. в ВИНИТИ, рег. N 1802-81
  21. С.Г. Еханин. Автореф. докт. дис. ГПУ, Томск (2002)
  22. С.Г. Еханин, Н.С. Несмелов, Е.В. Нефедцев. ФТТ 32, 2, 409 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.