Представлены результаты исследования температурной зависимости формы линии неупругого рассеяния нейтронов на TA фононах в GaAs, сильно легированном Te, в интервале температур от 363 до 253 K. Показано, что легирование теллуром (при концентрации носителей N_e~ 2· 10¹⁸ cm^-3) приводит к появлению дополнительного вклада в рассеяние в области TA фононных резонансов со стороны высоких энергий при значениях приведенного волнового вектора q<0.1a^*. Ниже 320 K наблюдается резкий рост интенсивности этой дополнительной компоненты, а ниже 273 K основной TA пик и дополнительное плечо практически полностью сливаются. Полагаем, что дополнительное рассеяние связано с индуцированной дефектами модой, которая может быть ответственна за наблюдаемые аномалии физических свойств в этом кристалле. Настоящая работа проводилась при поддержке гранта президента РФ НШ-2168.2003.2 Программы ОФН РАН, Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16695) и CRDF RP1-2361-ST-02.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.