Ударная ионизация экситонов в электрическом поле в GaN и квантовых ямах GaN/AlGaN
Нельсон Д.К.1, Якобсон М.А.1, Каган В.Д.1, Жиль Б.2, Гранжан Н.3, Бомон Б.3, Масси Ж.3, Жибар П.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CNRS-GES, Universite de Montpellier II, Montpellier, France
3CNRS-CRHEA, Sophia-Antipolis, Valbonne, France
Поступила в редакцию: 27 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
Исследовался эффект ударной ионизации экситонных состояний в эпитаксиальных пленках GaN и в структурах с квантовыми ямами GaN/AlGaN. Исследование проводилось оптическим методом, основанном на наблюдении гашения экситонной фотолюминесценции при приложении электрического поля. Установлено, что в процессе релаксации электронов по энергии и импульсу рассеяние на примесях преобладает над рассеянием на акустических фононах. Оценена средняя длина свободного пробега горячих электронов. В квантовых ямах GaN/AlGaN средняя длина свободного пробега горячих электронов оказалась на порядок величины больше, чем в эпитаксиальных пленках GaN, что обусловлено уменьшением вероятности рассеяния электронов в двумерном случае. Работа была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-16952).
- S. Nakamura, G. Fasol. The blue laser diode. Springer (1997)
- F. Binet, J.Y. Duboz, E. Rosencher, F. Scholz, V. Harle. Phys. Rev. B54, 8116 (1996)
- D.K. Nelson, V.D. Kagan, E.V. Kalinina, M.A. Jacobson, J. Luminescence 72--74, 865 (1997)
- B. Beaumont, M. Vaille, G. Nataf, A. Bouille, J.G. Guillaume, P. Vennegu\`es, S. Haffouz, P. Gibart. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 20 (1998)
- M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J.P. Alexis, R.L. Aulombard. J. Appl. Phys. 80, 5352 (1996)
- M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Vennequ\`es, J. Massies, P. Gibart. Mat. Sci. Eng. B50, 97 (1997)
- N. Grandjean, J. Massier, P. Vennegu\`es, M. Leroux, F. Demangeot, M. Renucci, J. Frandon. J. Appl. Phys. 83, 1379 (1998)
- M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, P. Bigenwald. Phys. Rev. B 58, R13371 (1998)
- В.Д. Каган. ЖТФ 94, 1, 258 (1988)
- M.A. Jacobson, V.D. Kagan, E.V. Kalinina, D.K. Nelson, A.V. Selkin, V.A. Dmitriev, K.G. Irvin, C.H. Carter, JR. 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors. Proceeding Berlin (1996). P. 569
- http://nina.ecse.rpi.edu/shur/nitride.htm
- M.A. Jakobson, V.D. Kagan, R. Katilus, G.O. Muller. Phys. Stat. Sol. (b) 161, 395 (1990)
- P. Lefebvre, J. All\`egre, B. Gil, H. Mathieu, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, P. Bigenwald. Phys. Rev. B59, 23, 15 563 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.