Издателям
Вышедшие номера
Ударная ионизация экситонов в электрическом поле в GaN и квантовых ямах GaN/AlGaN
Нельсон Д.К.1, Якобсон М.А.1, Каган В.Д.1, Жиль Б.2, Гранжан Н.3, Бомон Б.3, Масси Ж.3, Жибар П.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CNRS-GES, Universite de Montpellier II, Montpellier, France
3CNRS-CRHEA, Sophia-Antipolis, Valbonne, France
Поступила в редакцию: 27 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Исследовался эффект ударной ионизации экситонных состояний в эпитаксиальных пленках GaN и в структурах с квантовыми ямами GaN/AlGaN. Исследование проводилось оптическим методом, основанном на наблюдении гашения экситонной фотолюминесценции при приложении электрического поля. Установлено, что в процессе релаксации электронов по энергии и импульсу рассеяние на примесях преобладает над рассеянием на акустических фононах. Оценена средняя длина свободного пробега горячих электронов. В квантовых ямах GaN/AlGaN средняя длина свободного пробега горячих электронов оказалась на порядок величины больше, чем в эпитаксиальных пленках GaN, что обусловлено уменьшением вероятности рассеяния электронов в двумерном случае. Работа была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-16952).
  1. S. Nakamura, G. Fasol. The blue laser diode. Springer (1997)
  2. F. Binet, J.Y. Duboz, E. Rosencher, F. Scholz, V. Harle. Phys. Rev. B54, 8116 (1996)
  3. D.K. Nelson, V.D. Kagan, E.V. Kalinina, M.A. Jacobson, J. Luminescence 72--74, 865 (1997)
  4. B. Beaumont, M. Vaille, G. Nataf, A. Bouille, J.G. Guillaume, P. Vennegu\`es, S. Haffouz, P. Gibart. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 20 (1998)
  5. M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J.P. Alexis, R.L. Aulombard. J. Appl. Phys. 80, 5352 (1996)
  6. M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Vennequ\`es, J. Massies, P. Gibart. Mat. Sci. Eng. B50, 97 (1997)
  7. N. Grandjean, J. Massier, P. Vennegu\`es, M. Leroux, F. Demangeot, M. Renucci, J. Frandon. J. Appl. Phys. 83, 1379 (1998)
  8. M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, P. Bigenwald. Phys. Rev. B 58, R13371 (1998)
  9. В.Д. Каган. ЖТФ 94, 1, 258 (1988)
  10. M.A. Jacobson, V.D. Kagan, E.V. Kalinina, D.K. Nelson, A.V. Selkin, V.A. Dmitriev, K.G. Irvin, C.H. Carter, JR. 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors. Proceeding Berlin (1996). P. 569
  11. http://nina.ecse.rpi.edu/shur/nitride.htm
  12. M.A. Jakobson, V.D. Kagan, R. Katilus, G.O. Muller. Phys. Stat. Sol. (b) 161, 395 (1990)
  13. P. Lefebvre, J. All\`egre, B. Gil, H. Mathieu, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, P. Bigenwald. Phys. Rev. B59, 23, 15 563 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.