Вышедшие номера
Динамика диэлектрической проницаемости эпитаксиальных пленок Ba1-xSrxTiO3 (x=0.75): микроструктура, деполяризационные эффекты
Бойков Ю.А.1, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Поступила в редакцию: 7 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, включающие электроды из металлического оксида (200 nm) SrRuO3 и промежуточный диэлектрический слой (700 nm) Ba0.25Sr0.75TiO3, были выращены методом лазерного испарения на подложках (001)LaAlO3. Максимальное значение диэлектрической проницаемости для слоя Ba0.25Sr0.75TiO3 (varepsilon'/varepsilon0~3700) получено при TM=160 K и напряженности внешнего электрического поля E~106 V / m. Зависимость varepsilon'(T) для слоя Ba0.25Sr0.75TiO3 в параэлектрической фазе хорошо экстраполировалась соотношением Кюри--Вейса, причем постоянная Кюри и температура Вейса незначительно отличались от соответствующих величин для объемных кристаллов. При подаче на электроды напряжения смещения ±2.5 V изменение диэлектрической проницаемости слоя Ba0.25Sr0.75TiO3 достигало 85%. Четко насыщенные петли гистерезиса на зависимости поляризации от электрического поля прослеживались до температур на 10--15 K выше TM. Исследования проведены в рамках научного сотрудничества между Российской и Шведской королевской академиями наук. Работа частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 99-02-18022).
  1. R.C. Neville, B. Hoeneisen, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 2124 (1972)
  2. G.A. Samara. Phys. Rev. 151, 378 (1966)
  3. A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 1321 (1966)
  4. C.S. Hwang. Mater. Sci. Eng. B56, 178 (1998)
  5. J.P. Hong, J.S. Lee. Appl. Phys. Lett. 68, 3034 (1966)
  6. J.-G. Cheng, X.-J. Meng, J. Tang, S.-L. Guo, J.-H. Chu. Appl. Phys. Lett. 75, 3402 (1999)
  7. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C336, 300 (2000)
  8. Yu.A. Boikov, T. Claeson. J. Appl. Phys. 89, 9, 5053 (2001)
  9. S.Y. Hou, J. Kwo, R.K. Watts, J.-Y. Cheng, D.K. Fork. Appl. Phys. Lett. 67, 1387 (1995)
  10. A. von Hippel. Rev. Mod. Phys. 22, 221 (1950)
  11. J.C. Jiang, W. Tian, X. Dan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Eng. B56, 152 (1998)
  12. J.-P. Maria, H.L. McKinstry, S. Trolier-McKinstry. Appl. Phys. Lett. 76, 3382 (2000)
  13. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. Submitted to be publ
  14. D. Fuchs, M. Adam, P. Schweiss, S. Gerhold, S. Schuppler, R. Schueider, B. Obst. J. Appl. Phys. 88, 1844 (2000)
  15. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica B. Submitted to be publ
  16. E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 2351 (1990)
  17. C. Zuccaro, M. Winter, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
  18. H.B. Sharma, H.N.K. Sarma, A. Mansingh. J. Appl. Phys. 85, 341 (1999)
  19. Y. Yoneda, T. Okabe, K. Sakaue, H. Terauchi, H. Kastani, K. Deguchi. J. Appl. Phys. 83, 2458 (1998)
  20. P. Wurfel, I.P. Batra. Phys. Rev. B8, 5126 (1973)
  21. I.P. Batra, P. Wurfel. B.D. Silverman. Phys. Rev. B8, 3257 (1973)
  22. Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
  23. S. Saha, S.B. Krupanidhi. Mater. Sci. Eng. B57, 135 (1999)
  24. W.J. Merz. Phys. Rev. 77, 52 (1950)
  25. W.J. Merz. Phys. Rev. 91, 513 (1953)
  26. C. Kittel. Introduction to Solid State Physics. 7th edn. John Wiley\&Sons, N.Y. (1996)
  27. C. Kittel. Phys. Rev. 83, 458 (1951)
  28. Д.Г. Санников. ЖЭТФ 41, 1( 7), 133 (1962)
  29. N.A. Pertsev, G. Arlt. Ferroelectrics 132, 27 (1992)
  30. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Supercond. Sci. Tecnol. 12, 654 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.