Вышедшие номера
Магнитопластический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах NaNO2
Смирнов Б.И.1, Песчанская Н.Н.1, Николаев В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: smir.bi@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Методом лазерной интерферометрии исследовалось влияние постоянного магнитного поля (ПМП) на скорость пластической деформации (ползучести) varepsilon сегнетоэлектрических кристаллов NaNO2 при сжатии. Установлено, что приложение ПМП к нагруженному образцу приводит к увеличению скорости ползучести, а при удалении ПМП величина varepsilon уменьшается. Предварительная выдержка ненагруженного образца в ПМП также влияет на скорость его деформации при последующем нагружении. Наблюдаемый магнитопластический эффект наиболее выражен в некотором интервале значений varepsilon, а его величина для сегнетоэлектрика NaNO2 в несколько раз больше, чем для кристаллов LiF.