Параметры экситонного поглощения в кристалле TlGaS2
Горбань И.С.1, Охрименко О.Б.2
1Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
Показано, что, поскольку форма кривой экситонного поглощения в кристалле TlGaS2 описывается антирезонансным контуром Фано, экспериментально наблюдаемый экситонный пик соответствует модифицированному состоянию, возникающему в результате конфигурационного взаимодействия дискретного состояния (экситона) с квазинепрерывным континуумом состояний зоны проводимости. Рассчитана сила осциллятора для перехода в дискретное ("чистое") экситонное состояние, которая составляет F0=1.22·10-2. Получены правила отбора экситонного перехода для двух предполагаемых групп симметрии D2h и D4h. В результате анализа правил отбора для экситонного перехода, разрешенного в дипольном приближении, сделан вывод о том, что группой симметрии кристалла TlGaS2 следует считать группу D2h.
- S.G. Guseinov, G.D. Guseinov, N.Z. Gasanov, S.B. Kyazimov. Phys. Stat. Sol. B133, 1, K25 (1986)
- Н.Н. Сырбу, В.Э.Львин, И.Б. Заднипру, Х. Нойманн, Х. Соббота, В. Риеде. ФТП 26, 2, 232 (1992)
- Ю.И. Дурнев, Б.С. Кульбуджев, В.И. Торгашев, Ю.И. Юзин. Изв. АН СССР. Сер. физ. 53, 7, 1300 (1989)
- А.С. Давыдов. Теория твердого тела. Наука, М. (1976). 640 с
- И.С. Горбань, О.Б. Охрименко. УФЖ 44, 9, 1115 (1999)
- И.С. Горбань, О.Б. Охрименко. Докл. НАН Украины 4, 106 (1998)
- U. Fano. Phys. Rev. 124, 6, 1866 (1961)
- С.Ф. Терехова, Н.А. Онищенко. Г.Д. Гусейнов. УФЖ 28, 10, 1557 (1983)
- Н.М. Гасанлы, Н.Н. Мельник, А.С. Рагимов, В.И. Тагиров. ФТТ 26, 2, 558 (1984)
- С.Г. Абдуллаева, С.С. Абдинбеков, Г.Г. Гусейнов. ДАН АзССР 36, 8, 34 (1980)
- N.M. Gasanly, B.N. Mavrin, Kh.E. Sterin, V.I. Tagirov, Z.D. Khalafov. Phys. Stat. Sol. B86, 1, K49 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.