Тонкие (6-12 nm) эпитаксиальные пленки MnAs были выращены на подложках Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных технологических условиях. Пленки характеризуются существенно различной поверхностной морфологией. Это проявляется в образовании на поверхности кремния кристаллитов гексагональной формы, размеры которых меняются в зависимости от условий выращивания. Поверхностные и объемные магнитные свойства пленок исследованы с использованием магнитооптического эффекта Керра и генерации второй оптической гармоники. Наблюдалась линейная зависимость эффекта Керра от эффективной толщины магнитного слоя. Получена оценка толщины магнитонеупорядоченного переходного слоя, образованного вблизи границы раздела с подложкой. Обнаружено различие поверхностных и объемных гистерезисных свойств пленок. Наблюдалось нечетное по намагниченности изменение интенсивности второй гармоники, вызванное интерференцией магнитного и немагнитного вкладов в нелинейную поляризацию. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, японского проекта JSPS, INTAS и программы голландско-российского сотрудничества NWO.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.