Вышедшие номера
Анализ особенностей поведения коэффициента Нернста--Эттингсгаузена в проводниках с узкой проводящей зоной и применение его результатов к случаю ВТСП-материалов
Агеев Н.В.1, Гасумянц В.Э.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: VGAS@twonet.stu.neva.ru
Поступила в редакцию: 6 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Проведен теоретический анализ коэффициента Нернста-Эттингсгаузена Q в случае наличия в зонном спектре материала узкой проводящей зоны. Показано, что это обстоятельство приводит к качественному изменению механизма возникновения эффекта Нернста-Эттингсгаузена по сравнению с классическим случаем широкой проводящей зоны, а поведение коэффициента Нернста-Эттингсгаузена характеризуется появлением ряда специфических особенностей, отличных от случая классической теории кинетических коэффициентов в полупроводниках и металлах. Показано, что в случае узкой зоны наиболее сильное влияние на вид зависимости Q(T) оказывает асимметрия дисперсионной кривой, в то время как другие детали строения зонного спектра и свойств системы носителей заряда, включая характер энергетической зависимости времени релаксации, оказываются менее существенными и могут в первом приближении не учитываться. Получены расчетные кривые Q(T), качественно соответствующие экспериментальным зависимостям для легированных ВТСП системы YBa2Cu3Oy, и продемонстрирована возможность использования предложенного подхода для комплексного анализа экспериментальных температурных зависимостей четырех кинетических коэффициентов в ВТСП-материалах в нормальной фазе. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования России (грант N E00-3.4-546).