О вкладе различных механизмов движения доменных границ в эффективную диэлектрическую проницаемость кристаллов триглицинсульфата в средних (промежуточных) низко- и инфранизкочастотных полях
Шильников А.В.1, Поздняков А.П.1, Нестеров В.Н.1, Федорихин В.А.1, Шувалов Л.А.2
1Волгоградская государственная архитектурно-строительная академия, Волгоград, Россия
2Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
Email: postmaster@vgasa.ru
Поступила в редакцию: 20 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
Проведено изучение особенностей вклада доменных границ в эффективную диэлектрическую проницаемость varepsilon*eff кристалла TGS в электрическом поле различной частоты в широком интервале температур полярной фазы, вплоть до температуры фазового перехода. При рассмотрении полученных данных вводится понятие о трех типах дефектов в зависимости от силы их взаимодействия с доменными границами. На основании развиваемого подхода дается объяснение частотных и температурных зависимостей вкладов гистерезисного и релаксационного механизмов движения доменных границ в varepsilon*eff. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и фонда Конкурсного центра Минобразования России.
- Л.А. Шувалов. Изв. АН СССР. Сер. физ. 28, 660 (1964)
- Дж. Барфут. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Мир, М. (1970). 352 с
- С.А. Сонин, Б.В. Струков. Введение в сегнетоэлектричество. Высш. шк. М. (1970). 248 с
- T. Mitsui, Y. Furuichi. Phys. Rev. 90, 2, 193 (1953)
- T. Mitsui, Y. Furuichi. Phys. Rev. 95, 2, 558 (1954)
- В.Э. Рудяк, Л.А. Шувалов, В.Н. Камаев. Изв. АН СССР. Сер. физ. 29, 943 (1965)
- Э.С. Попов, С.Л. Рапопорт, А.В. Шильников. Изв. АН СССР. Сер. физ. 31, 1199 (1967)
- А.В. Шильников, Э.С. Попов, С.Л. Рапопорт. Кристаллография 14, 1028 (1969)
- R.C. Miller, G. Weinreich. Phys. Rev. 117, 1460 (1954)
- Э.С. Попов, С.Л. Рапопорт. Кристаллография 13, 2, 278 (1968)
- А.В. Шильников. В сб.: Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград (1970). С. 95
- А.В. Шильников. Автореф. канд. дис. ВГПИ, Воронеж (1972)
- А.В. Шильников. Автореф. докт. дис. Ин-т физики АН Латв. ССР, Саласпилс (1988). 25 с
- А.В. Шильников, Н.М. Галиярова, С.В. Горин, Д.Г. Васильев, Л.Х. Вологирова. Изв. АН СССР. Сер. физ. 55, 3, 578 (1991)
- A.V. Shil'nikov, V.N. Nesterov, A.I. Burkhanov. Ferroelectrics 175, 145 (1996)
- Л.И. Донцова, Л.Г. Булатова, А.В. Шильников, Н.А. Тихомирова. В сб.: Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград (1986). С. 165
- A.V. Shil'nikov, V.N. Nesterov, A.P. Pozdnyakov, V.A. Fedorikhin, L.A. Shuvalov. Ferroelectrics 222, 317 (1999)
- A.V. Shil'nikov, A.P. Pozdnyakov, V.N. Nesterov, V.A. Fedorikhin, R.H. Usakov. Ferroelectrics 223, 149 (1999)
- А.В. Шильников, Л.А. Шувалов, В.А. Федорихин, А.П. Поздняков, А.В. Сопит. ФТТ 41, 6, 1073 (1999)
- R. Abe. Jap. J. Appl. Phys. 3, 5, 243 (1964)
- А.В. Шильников. Изв. АН СССР. Сер. физ. 51, 10, 1726 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
