Вышедшие номера
Влияние постоянного магнитного поля и импульсного электрического тока на среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций в кристаллах висмута
Пинчук А.И.1, Шаврей С.Д.1
1Мозырский государственный педагогический институт, Мозырь, Белоруссия
Email: APinchook@usa.net
Поступила в редакцию: 29 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Показано, что одновременное воздействие на кристаллы висмута импульсного электрического тока и постоянного магнитного поля существенно снижает среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций, локализованных на границах клиновидных двойников. Снижение средней линейной плотности двойникующих дислокаций сопровождается падением микротвердости образцов.