Влияние эффекта поверхностной сегрегации на резкость гетерограниц в многослойных структурах Si(Ge)/Si1-xGex, выращиваемых из атомарных пучков в вакууме
Ивина Н.Л.1, Орлов Л.К.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.
Рассмотрены основные причины перемешивания состава в окрестности гетерограниц в гетеросистеме Si(Ge)/Si1-xGex, выращиваемой методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложенная модель объясняет все наблюдаемые в эксперименте особенности, в частности хорошо выраженную асимметрию профиля твердого раствора в слоях, и демонстрирует заметное расплывание профиля состава в окрестности границ даже в отсутствие эффекта поверхностной сегрегации. Показано, что в системе Ge/Si1-xGex поверхностная сегрегация может играть положительную роль, приводя к увеличению крутизны фронтов слоя Si1-xGex в окрестности границ. Работа выполнена при поддержке Российских программ "Университеты России" (грант N 992849) и "Физика твердотельных наноструктур" (грант 7(00)П).
- P. Waltereit, J.M. Fernandes, S. Kaya, T.J. Thornton. Appl. Phys. Lett. 72, 2262 (1998)
- J.M. Baribeau, D.J. Loskwood, R.L. Headrick. J. Electron Mater. 24, 341 (1995)
- В.И. Вдовин, К.Д. Щербачев. Матер. Всерос. совещ. "Наноструктуры на основе кремния и германия" ИФМ РАН, Нижний Новгород (1998). С. 168
- Y.J. Zheng, A.M. Lam, J.R. Engstrom. Appl. Phys. Lett. 75, 817 (1999)
- A.V. Potapov, L.K. Orlov, C.V. Ivin. Thin Solid Films 336, 191 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
