Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рентгендифрактометрическое изучение влияния буфера на микроструктуру молекулярно-пучковой эпитаксии InN-слоев разной толщины

Ратников В.В.¹, Мамутин В.В.¹, Векшин В.А.¹, Иванов С.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: mam@beam.ioffe.rssi.ru

Поступила в редакцию: 18 сентября 2000 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Тонкие слои InN выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии на (0001) подложках сапфира. Методами двух- и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии изучалось влияние тонкого (15 nm) InN - буфера и его температурных обработок на структурное качество выращиваемых слоев. Найдено, что предварительный высокотемпературный (900^oC) отжиг буфера приводит к резкому улучшению качества выращиваемых на нем слоев. При удалении от интерфейса (~ 1 mum) снижаается плотность как вертикальных винтовых (до 1.9· 10⁸ cm^-2), так и вертикальных краевых (до 1.3· 10¹¹ cm^-2) дислокаций. Работа проводились при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17103, 98-02-18309 и 00-02-16760).

S. Nakamura. Semicond. Sci. Technol. 14, 6, R27 (1999)
Q.-X. Guo, T. Yamamura, A. Yoshida, N. Itoh. J. Appl. Phys. 75, 10, 4927 (1994)
W.-K. Chen, Y.-Ch. Pan, H.-Ch. Lin, J. Ou, W.-H. Chen, M.-Ch. Lee. Jpn. J. Appl. Phys. 36, 12B, L 1625 (1997)
M.-Ch. Lee, H.-Ch. Lin, Y.-Ch. Pan, Ch.-K. Shu, J. Ou, W.-H. Chen, W.-K. Chen. Appl. Phys. Lett. 73, 18, 2606 (1998)
V.V. Mamutin, V.A. Vekshin, V.Yu. Davydov, V.V. Ratnikov, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kopev, M. Karlsteen, U. Soderwall, M. Willander. Phys. Stat. Sol. (a) 176, 247 (1999)
В.В. Мамутин, В.Н. Жмерик, Т.В. Шубина, А.А. Торопов, А.В. Лебедев, В.А. Векшин, С.В. Иванов, П.С. Копьев. Письма в ЖТФ 24, 467 (1998)
J.E. Ayers. J. Crystal Growth 135, 71 (1994)
V. Srikant, J.S. Speck, D.R. Clarke. J. Appl. Phys. 82, 9, 4286 (1997)
R.N. Kyutt, T.S. Argunova. Nuovo Cimento D19, 267 (1997)
T. Metzger, R. Hopler, E. Born, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Stommer, M. Schuster, H. Gobel, S. Christiansen, M. Albrecht, H.P. Strunk. Phil. Mag. A77, 4, 1013 (1998)
K. Kobayashi, A.A. Yamaguchi, Sh. Kimura, H. Sunakawa, A. Kimura, A. Usui. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 6A/B, L611 (1999)
C.O. Dunn, E.F. Koch. Acta metall. 5, 548 (1957)
Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, Г.Н. Мосина, М.П. Щеглов. ФТТ 41, 1, 30 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель