Вышедшие номера
Рентгендифрактометрическое изучение влияния буфера на микроструктуру молекулярно-пучковой эпитаксии InN-слоев разной толщины
Ратников В.В.1, Мамутин В.В.1, Векшин В.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mam@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 18 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Тонкие слои InN выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии на (0001) подложках сапфира. Методами двух- и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии изучалось влияние тонкого (15 nm) InN - буфера и его температурных обработок на структурное качество выращиваемых слоев. Найдено, что предварительный высокотемпературный (900oC) отжиг буфера приводит к резкому улучшению качества выращиваемых на нем слоев. При удалении от интерфейса (~ 1 mum) снижаается плотность как вертикальных винтовых (до 1.9· 108 cm-2), так и вертикальных краевых (до 1.3· 1011 cm-2) дислокаций. Работа проводились при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17103, 98-02-18309 и 00-02-16760).